Fairchild说明书大全

该文档介绍了FDI150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低RDS(on)，快速开关速度，低栅极电荷等。

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FDL100N50F N-Channel MOSFET是Fairchild的独家产品，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、高能量脉冲、RoHS兼容等特点。

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FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款100V、4.4A、60mΩ的MOSFET，其特点包括低Miller充电、低QRR、体二极管、高频优化效率、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）和RoHS兼容性。

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FDMA1023PZ双P通道功率晶体管具有低导通电阻，适用于手机等便携式设备的充电开关。

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FDMA1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET是一款20 V, 5.0 A, 54 mΩ的双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、低封装高度、高ESD保护等特点，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用

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该产品是一款双P通道MOSFET，最大导通电阻为155mΩ，最大漏源电压为-20V，最大漏极电流为-3.1A。

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FDMA1027P是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，特别设计用于电池充电开关在手机和其他超便携应用中的使用。它具有两个独立的P-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻，以实现最小的导通损耗。当连接在典型的共源配置中时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

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FDMA1027PT是双P通道PowerTrench®MOSFET，额定电压-20V，额定电流-3A，额定导通电阻120mΩ。该器件专为手机等便携式设备中电池充电开关的应用而设计，具有低结温和双向导电特性。

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该产品是一款双N通道功率晶体管，可以满足手机和其他超便携应用中对双开关的需求。它具有两个独立的N通道MOSFET，开关阻抗低，导通损耗小。该产品在物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。

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FDMA1029PZ是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和双向电流流动能力，适用于手机电池充电开关等超便携应用。

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FDMA1032CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V Complementary PowerTrench MOSFET，具有低导通损耗和高频开关特性。

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FDMA2002NZ是双N通道PowerTrench MOSFET，额定电压30V，额定电流2.9A。该器件具有低导通电阻，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用的双切换需求。

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FDMA291P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道1.8V PowerTrench MOSFET，主要应用于电池充电或负载开关等应用场合，具有低导通电阻的特点

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该文件介绍了FDMA3023PZ双通道功率MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻和低配置损失等。

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FDMA3027PZ是一款双通道功率型MOSFET，最大漏源电阻为87 mΩ，工作电压为-30 V，漏极电流为-3.3 A。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，具有优异的热性能，适用于线性模式应用。此外，该器件还具有HBM ESD保护功能。

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FDMA3028N是由Fairchild Semiconductor Corporation公司发布的双N通道PowerTrench®MOSFET，其最大特点是开关电阻小，最小可以达到68mΩ，同时具有低封装体积和高导热性。

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FDMA410NZ是Fairchild Semiconductor Corporation的单N通道1.5V PowerTrench® MOSFET，其最大漏源电阻为23 mΩ，额定电压为20V，最大电流为9.5A。

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FDMA420NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET是一种低阻抗的N沟道功率MOSFET，具有4.5 V的低开关损耗和2.5 V的低导通电阻。它适用于各种应用，如锂离子电池组。

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这是一份关于FDMA430NZ单N-通道2.5V指定PowerTrench® MOSFET的文档。该产品采用了Fairchild Semiconductor公司先进的Power Trench工艺设计，以优化RDS(on) @VGS=2.5V和特殊的MicroFET引线框架。该产品适用于锂离子电池组等应用。

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该文档介绍了FDMA507PZ P-通道功率MOSFET的特性和特点，包括最大rDS(on)为24 mΩ、低剖面（0.8 mm最大）微型FET 2X2 mm封装、HBM ESD保护等级>3.2K V典型值等

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