Fairchild说明书大全

FDMA510PZ是一款单极P通道PowerTrench®MOSFET，其最大漏源电压为–20V，最大漏源电流为–7.8A，最大导通电阻为30mΩ，具有低功耗、高耐压、高开关速度等特点，适用于电池充电或负载开关等应用。

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FDMA520PZ是一款单P通道PowerTrench® MOSFET，其特点是低导通电阻，适用于电池充电或负载开关等应用。

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该文件介绍了2011年6月发布的FDMA530PZ单P-通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品适用于电池充电或负载开关等超便携应用。它具有低导通电阻的MOSFET和出色的热性能。

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FDMA6023PZT是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，工作电压为-20V，最大漏源电阻为60 mΩ，适用于电池充电开关、电池管理和负载开关等应用。

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这是一份关于FDMA7628单N通道1.5V规定的PowerTrench® MOSFET的文档。该产品具有最大rDS(on)为14.5 mΩ，最大电压为20V，最大电流为9.4A，最大功耗为1.9W。它采用了低剖面设计，尺寸为2x2mm，符合RoHS标准。

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FDMA7630是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为11A，最大导通电阻为13mΩ。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，厚度仅0.8mm，符合RoHS标准。

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FDMA7632是Fairchild公司推出的一款N通道功率晶体管，其最大漏源电压为30V，最大电流为9A，典型导通电阻为19mΩ，在4.5V的栅源电压下，最大导通电阻为30mΩ，该器件采用MicroFET 2x2 mm的新封装，高度仅为0.8mm，符合RoHS标准。

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这份文档介绍了FDMA7670单路N沟道功率MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低剖面等。该产品适用于DC-DC Buck转换器。

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该文件介绍了FDMA7672单N沟道功率沟槽MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低轮廓封装、无卤化合物和锑氧化物等。

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FDMA8878是一款单N通道高性能Power Trench MOSFET，具有极低的RDS(on)、快速的切换速度，符合RoHS标准。应用领域包括DC/DC Buck转换器、笔记本电池供电管理等。

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本文档介绍了2012年4月发布的FDMA8884 N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能沟道技术、快速开关速度等。

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FDMA905P是一款单P通道PowerTrench® MOSFET，最大RDS(on)为16 mΩ，可用于手机等便携设备的负载开关。

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FDMA910PZ是一款单P通道PowerTrench®MOSFET，额定电压-20V，最大电流-9.4A，最大导通电阻20mΩ。

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该文件介绍了FDMB2307NZ双共源N沟道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、低轮廓封装、HBM ESD保护等。该产品专为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计。

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FDMB3800N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷等特点

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这份文档介绍了FDMB3900AN Dual N-Channel Power Trench® MOSFETTM产品的特点和特性，包括最大电阻、开关速度等。

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FDMB668P是一种低压P通道MOSFET，具有低RDS(on)，适用于便携式应用。它集成了一种P通道MOSFET，具有最小的开启状态电阻，并将其集成到MicroFET 3x1.9封装中，从而实现了效率、热传递和小型化之间的最佳平衡。当优化便携式应用的尺寸时，这款小装置提供了一种非常有效的解决方案。

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FDMC15N06是一款N沟道MOSFET功率器件，具有55V的漏极到源极电压、15A的漏极电流和0.090Ω的导通电阻。该器件采用了先进的UItraFET工艺，具有最低的单位硅面积导通电阻，性能优异。它能够承受高能量的雪崩模式，且二极管具有非常低的反向恢复时间和储存电荷。适用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

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FDMC2512SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM是一款低导通电阻的N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺，具有极低的Junction-to-Ambient热阻，极低的rDS(on)，并具有高效的monolithic Schottky body二极管。

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FDD8451 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低栅极电荷、快速开关速度和极低的rDS(on)。它可以用在DC/DC转换器和背光逆变器等应用中。

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