Fairchild说明书大全

FDMC86102 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一种高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度，可应用于DC-DC转换电路。

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FDMC86102L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道Power Trench® MOSFET，额定电压为100V，额定电流为18A，额定导通电阻为23mΩ。该产品具有超低的导通电阻，低封装高度，符合RoHS标准。

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FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。

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FDMC86116LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种逻辑电平MOSFET，其最大RDS(on)为103 mΩ，最大电流为7.5 A。它具有HBM ESD保护等级> 3 KV，100% UIL测试，RoHS兼容等特点。

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FDMC86160 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款 100V、43A、14 mΩ 的 MOSFET。该 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺，专门针对最小化导通电阻而定制。该器件非常适合需要在小空间内实现极低 RDS（on） 的高性能 VRM、POL 和 orring 功能的应用。

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FDMC8622是Fairchild Semiconductor推出的一款N通道MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于POE保护开关。

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FDMC86240 N-Channel Power Trench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的高性能MOSFET，其最大导通电阻仅为51 mΩ，适用于DC-DC转换等应用。

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FDMC86244是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道功率MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，具有低RDS(on)和优异的开关性能。

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FDMC86248 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能产品，具有最大电阻率为90 mΩ的特点，可用于主要MOSFET和MV同步整流器MOSFET等应用。

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FDG8842CZ Complementary PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能、低压开关元件，可满足低压应用的需求。该器件采用Fairchild专有的高单元密度DMOS工艺，具有极低的开关损耗，可用于各种低压应用。

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FDG8850NZ是Fairchild公司生产的双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，使用Fairchild专有的高密度DMOS技术，具有非常低的导通电阻，非常适合3V电路使用。

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FDP047AN08A0/FDI047AN08A0/FDH047AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管，其最大漏-源电压为75V，最大漏电流为80A，最大导通电阻为4.7mΩ。该产品具有低米勒充电、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点，可用于42V汽车负载控制、起动/发电机系统、电子动力转向系统、电子阀门传动系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。

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FDH055N15A是一款N通道MOSFET，额定电压为150V，最大电流为167A，RDS(on)为4.8mΩ。

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该文档介绍了一款名为FDH44N50的Fairchild半导体产品。该产品是一款N-沟道SMPS功率MOSFET，具有44A的连续漏极电流、500V的漏极到源极电压、0.12欧姆的导通电阻等特性。它适用于各种开关模式电源应用，如PFC Boost、Two-Switch Forward Converter、Single Switch Forward Converter、Flyback Converter、Buck Converter和高速开关等。该产品具有低门电荷Qg、改进的门极、雪崩和高再应用dv/dt韧性、降低的导通电阻、降低的米勒电容和低输入电容、改善的开关速度和低EMI、175°C额定结温等特点。

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FDH45N50F_F133 是一款 500V N 通道 MOSFET，具有 0.12Ω 的 RDS(on)（在 VGS = 10 V 时）和 105 nC 的低栅极电荷（典型值）。

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FDI030N06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管。它具有低RDS(on)、快开关速度和低门极电荷等特点。

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FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 是一款60V、80A、3.8mΩ的N沟道PowerTrench® MOSFET，其特点包括：rDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 80A；Qg(tot) = 95nC（典型值），VGS = 10V；低Miller电荷；低QRR体二极管；UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。

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该数据表格列出了FDI040N06 N通道PowerTrench® MOSFET的特性、最大额定值、温度特性等信息。

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FDP045N10A_F102 / FDI045N10A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，其最大耗散功率为263W，开关速度快，栅极电荷低，采用高性能沟槽技术，RDS(on)极低，是高功率和大电流处理能力的理想产品

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