Fairchild说明书大全

FDMC2514SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM 是一款N通道功率晶体管，具有极低的RDS(on)，最大支持25V电压和40A电流。

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FDMC2523P P-Channel QFET®是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种P通道MOSFET，具有低rDS（on）、低Crss、快速开关、低门控电荷和改进的dv/dt能力，适用于音频放大器、高效开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。

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FDMC2610 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率管理MOSFET，最大电压200V，最大电流9.5A，最大电阻200mΩ，具有低外形和RoHS认证。

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FDMC2674 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是一种高效的功率转换应用元件，具有超低漏电、低ESR、低门控电荷等特点。该器件适用于高频DC到DC转换器等应用。

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FDMC3020DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)，非常适合用于DC/DC转换器、电信次级侧整流和高端服务器/工作站等应用。

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FDMC3612是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道功率晶体管，其最大关断电阻为110 mΩ，最大导通电阻为122 mΩ。该产品可应用于DC-DC转换和PSE开关等场合

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FDMC4435BZ P-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款沟槽技术MOSFET，具有高性能、低功耗、高电流驱动能力等特点，适用于笔记本电脑和便携式电池组等负载开关应用

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FDMC510P P-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款具有高性能、低rDS(on)、高功率和电流处理能力的表面贴装封装的MOSFET，适用于电池管理和负载开关等应用。

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FDMC6296是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其最大漏源电压为30V，最大漏源电流为11.5A，最大漏源电阻为10.5mΩ，适用于Point of Load转换器和1/16 Brick同步整流器。

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FDMC6675BZ是Fairchild Semiconductor推出的一款P通道功率Trench MOSFET，该产品具有极低的rDS(on)，可用于笔记本电脑和服务器的负载开关应用。

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FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款低阻耗的MOSFET，最大导通电阻为10mΩ。该器件采用先进的沟槽技术，具有高功率、高电流处理能力，并符合RoHS标准。

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FDMC6890NZ是用于DC到DC转换器的紧凑型单片解决方案，具有出色的热性能和开关特性。该产品内部采用Power33封装，内置2个具有低导通电阻和低栅极电荷的N通道MOSFET，可最大程度地提高电源转换和开关效率。Q1开关还集成了对未夹紧电压输入的栅极保护。

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FDMC7572S N-Channel Power Trench® SyncFETTM 是一款低 rDS(on) 和高效率的 MOSFET 设备，可用于同步整流器、Notebook Vcore / GPU 低侧开关、Networking Point of Load 低侧开关和 Telecom 二次侧整流器等应用。

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FDMC7582是一种N-沟道功率晶体管，最大电阻是5.0 mΩ，适用于DC/DC转换器，具有低电荷和快速开关速度。

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FDMC7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET，是一款高性能的N-通道MOSFET，其特点是具有极低的导通电阻，适用于笔记本电脑和便携式电池组等负载开关应用场合。

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FDMC7660DC N 通道双冷通 PowerTrench ® MOSFET 是一款 30 V、40 A、2.2 mΩ 的 MOSFET。它采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench ® 工艺制造。该器件集成了硅和双冷通封装技术的优势，可提供极低的 rDS(on) 同时还具有极低的 Junction-to-Ambient 热阻，从而保持出色的开关性能。该器件非常适合用于 DC/DC 转换器的同步整流器、电信次级侧整流器和高端服务器/工作站。

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FDMC7660S是一款N通道功率沟道同步场效应管，最大rDS(on)为2.2 mΩ，适用于功率转换应用。

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FDMC7664是一种N-Channel PowerTrench® MOSFET，特点是最大电阻为4.2 mΩ，适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

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