Fairchild说明书大全

这份FDMS8020 N-Channel PowerTrench® MOSFET的datasheet介绍了该产品的特点特性，包括最大RDS(on)、封装、应用场景等

文件类型: PDF 大小:259 KB

本文件介绍了FDMS8023S N通道PowerTrench® SyncFETTM，这是一种高性能的同步整流器，可用于DC/DC转换器、笔记本电脑Vcore/GPU低侧开关、网络点负载低侧开关和电信次级侧整流器。该器件采用最先进的硅和封装技术，在保持出色开关性能的同时，提供最低的rDS(on)。

文件类型: PDF 大小:260 KB

FDMS8025S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30 V, 49 A, 2.8 mΩ 是一款高性能的功率器件，采用先进的封装和硅片技术相结合，具有超低的导通电阻、低损耗、高效率、高可靠性等特点。

文件类型: PDF 大小:282 KB

FDMS8026S是一款N通道PowerTrench® SyncFETTM功率MOSFET，工作电压为30V，最大漏源电阻为4.3mΩ，最大漏源电阻为5.2mΩ。该产品采用先进的封装和硅组合技术，可实现低漏源电阻和高效率。此外，它还具有高效的单片式肖特基二极管。适用于直流/直流转换器的同步整流器、笔记本电脑的Vcore/GPU低侧开关、网络点对点低侧开关和电信的二次侧整流。

文件类型: PDF 大小:290 KB

FDMS8027S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® SyncFETTM，其最大电压为30V，最大电流为22A，最小导通电阻为5.0mΩ。这款器件具有高效率、低导通电阻和良好的开关性能。

文件类型: PDF 大小:287 KB

该FDMS8320L N-Channel PowerTrench® MOSFET具有低rDS(on)和高效率，适用于OringFET / Load Switching、Synchronous Rectification和DC-DC Conversion Power等场景

文件类型: PDF 大小:277 KB

FDMS8460 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是最大导通电阻(RDS(on))仅为2.2mΩ。适用于DC-DC转换应用场景。

文件类型: PDF 大小:238 KB

FDMS8558S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻和同步肖特基体二极管。

文件类型: PDF 大小:305 KB

FDMS8558SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM是一款低阻抗的N沟道同步整流器，采用先进的PowerTrench®工艺，在极低的结温下实现了最高的转换效率。

文件类型: PDF 大小:274 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

FDMS8570S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款高性能的功率器件，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺制造。该器件具有极低的 Rds（on），非常适合 DC/DC 转换器、电信二级侧整流器和高端服务器/工作站等应用。

文件类型: PDF 大小:300 KB

FDMS3626S PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款双PQFN封装的N沟道MOSFET，具有低内阻和高转换效率的特点。该器件适用于计算、通信、通用点负载和笔记本电脑等应用。

文件类型: PDF 大小:389 KB

FDMS3660S PowerTrench® Power Stage是一款带有同步同步FET的双N通道MOSFET，具有低内阻和低转换损耗。

文件类型: PDF 大小:575 KB

FDMS3662 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 Power Trench® MOSFET，额定电压为 100V，额定电流为 49A，额定导通电阻为 14.8mΩ。该 MOSFET 具有低导通电阻、MSL1 坚固型封装、100% UIL 测试、RoHS 兼容等特点。

文件类型: PDF 大小:247 KB

FDMS3664S PowerTrench® Power Stage是一款双N通道MOSFET，具有低电感封装、优异的开关性能和节能特性。

文件类型: PDF 大小:579 KB

FDMS3624S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗和低功耗特性。

文件类型: PDF 大小:390 KB

FDMS3622S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET。该产品具有低导通电阻、低电感封装、优化的布局和RoHS兼容性。

文件类型: PDF 大小:398 KB

FDMS3620S PowerTrench® PowerStage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款低电感封装，提高开关速度，降低开关损耗的MOSFET，适用于计算、通信、电源和笔记本电脑等应用场景。

文件类型: PDF 大小:369 KB

FDMS3615S PowerTrench® Power Stage是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低阻抗开关特性，适用于笔记本电脑、服务器等应用场合。

文件类型: PDF 大小:542 KB

FDMS3606AS是一款30V不对称双N沟道MOSFET，具有低电感封装、较低的开关损耗和较低的电路电感，可用于计算机、通信、通用用途点的负载、笔记本VCORE和服务器MOSFET等应用。

文件类型: PDF 大小:583 KB