Fairchild说明书大全

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FDMS3602S PowerTrench® Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、低封装寄生电感、低开关损耗等特点。

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FDMS3600S 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一种双 N 通道 MOSFET 器件。它具有低开关损耗、优化的电路布局和低开关节振荡等特点。该器件可应用于计算、通信、通用点负载、笔记本电脑 VCORE 和服务器等领域。

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该文档介绍了FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大电阻、Miller电荷、优化的高频效率等。

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FDMS3500 N-Channel Power Trench® MOSFET 是一款高性能MOSFET，具有75V、49A、14.5m�的特性，适用于DC-DC转换应用。

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该文件介绍了FDMS3016DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET的特点和特性。

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该数据表格详细介绍了FDMS3008SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特性、规格、应用场景等信息。

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FDMS3006SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺生产。该器件具有低rDS(on)和高性能的特点，适用于同步整流器、通信设备的二次侧整流和高端服务器/工作站的Vcore低端等应用。

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FDMS2734 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 MOSFET 器件，其最大特点是低 rDS(on)、低 ESR、低总和 Miller 门极电荷，因此非常适合高频 DC 到 DC 转换器应用。

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FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款200V、20A、77mΩ的MOSFET。该器件具有低Rds(on)、低ESR、低总谐波失真和Miller门极电荷等特点，适用于高频DC/DC转换应用。

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FDMS2572是一款N沟道超FET Trench MOSFET，具有最大的rDS(on)为47mΩ，在VGS=10V，ID=4.5A时。它还具有低Miller电荷和高频效率优化特性，适用于高频DC到DC变换器。

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这份文档介绍了FDMS2510SDC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® SyncFETTM的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能技术、SyncFET肖特基二极管等。

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FDMS2508SDC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS(on)和极低的Junction-to-Ambient热阻，非常适合DC/DC转换器、电信二次侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET应用。

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FDMS2506SDC是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET。该器件采用双冷却顶部散热PQFN封装，具有极低的RDS(on)和高性能技术。应用范围包括DC/DC转换器中的同步整流器、电信次级侧整流和高端服务器/工作站Vcore低侧MOSFET。

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FDMS2504SDC是一款N-Channel MOSFET，采用Fairchild Semiconductor公司的先进PowerTrench®工艺生产。它具有极低的rDS(on)和优秀的开关性能，并且具有高效的单片肖特基二极管。

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FDMS039N08B N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、低FOM、低反向恢复电荷的N沟道MOSFET，适用于同步整流、电池充电器、电机驱动等应用

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FDMS0312S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V、42 A、4.9 mΩ 的 N 沟道功率晶体管。该产品采用先进的封装和硅技术组合，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。该产品还具有高效的单片 Schottky 体二极管，MSL1 坚固的封装设计，100% UIL 测试，符合 RoHS 标准。

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该文件介绍了FDMS015N04B N-Channel PowerTrench® MOSFET的最大额定值、热特性和特点。该产品具有低RDS(on)和高效率的特点，并且采用了先进的封装和硅材料组合。适用于服务器/电信电源单元、电池充电器和电池保护电路、直流电机驱动和不间断电源等应用。

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FDMQ8403是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N通道功率MOSFET，额定电压为100V，额定电流为6A，最大导通电阻为110mΩ。

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FDMQ8203 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N通道和双P通道PowerTrench® MOSFET。它具有100V、6A、110mΩ的N通道和-80V、-6A、190mΩ的P通道。

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