Fairchild说明书大全

FDD390N15ALZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大额定电压为150V，最大连续电流为26A，开关速度快，门极电荷低，具有高性能、低RDS(on)、高功率和电流处理能力。

文件类型: PDF 大小:265 KB

FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

文件类型: PDF 大小:764 KB

该文件介绍了FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。

文件类型: PDF 大小:610 KB

该文件介绍了FDB28N30 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试以及改进的dv/dt能力。

文件类型: PDF 大小:315 KB

该文档介绍了FDB33N25 / FDI33N25型250V N-Channel MOSFET的特点，包括33A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss等特性。

文件类型: PDF 大小:917 KB

该PDF文件是关于FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET的产品手册，该产品具有Max rDS(on) = 47mΩ at VGS = 10V, ID = 6A，100% UIL Tested，RoHS Compliant等特点

文件类型: PDF 大小:355 KB

FDB3632/FDP3632/FDI3632/FDH3632是N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压100V，额定电流80A，典型导通电阻7.5mΩ。

文件类型: PDF 大小:401 KB

该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。

文件类型: PDF 大小:279 KB

FDB3860是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，具有高性能的沟槽技术和低RDSon特性，适用于各种开关应用。

文件类型: PDF 大小:298 KB

FDB390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 数据表，该器件具有低RDS(on)、快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟槽技术，可用于DC到DC转换器、同步整流器等场合

文件类型: PDF 大小:611 KB

FDB44N25是Fairchild生产的250V N-Channel MOSFET，具有44A的额定电流、0.069Ω的RDS(on)，低门极电荷和Crss，快速开关，100%的雪崩测试，以及改进的dv/dt能力。

文件类型: PDF 大小:723 KB

FDB52N20是一款200V的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.049Ω@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为49 nC），低Crss（典型值为66 pF），快速开关，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力。

文件类型: PDF 大小:938 KB

该文件介绍了FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有低Rdson、低门电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于电机/负载控制、ABS系统、动力传动管理、喷油系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。

文件类型: PDF 大小:250 KB

FDP6030L/FDB6030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低门控电荷的特点，并且在高温下工作仍然稳定可靠。

文件类型: PDF 大小:95 KB

这是一份关于FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品是为了提高直流/直流转换器的效率而设计的，可用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和安全驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

文件类型: PDF 大小:157 KB

这是一份关于FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品针对使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，旨在提高整体效率。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，相比具有相似RDS(ON)规格的其他MOSFET，更容易且更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它经过优化，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。

文件类型: PDF 大小:113 KB

该数据手册详细介绍了FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 的特点特性。

文件类型: PDF 大小:61 KB

FDB8443 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V，182A，3.0mΩ的功率MOSFET，具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)等特点。

文件类型: PDF 大小:301 KB

该数据表格提供了 FDB8444 N-Channel PowerTrench® MOSFET 的特性参数，包括典型值、最小值、最大值等。

文件类型: PDF 大小:311 KB

FDB8445是Fairchild生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是典型导通电阻为6.8mΩ，典型栅极电荷为44nC。

文件类型: PDF 大小:365 KB