Fairchild说明书大全

该数据表格提供了 FDB8447L N-Channel 功率沟道 MOSFET 的规格信息。

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该文档介绍了FDB8453LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、ESD保护水平、快速开关等。

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FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。

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FDB86135 N-Channel PowerTrench MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷、非常低的RDS(on)和高功率和电流处理能力。

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FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(ON)，低Qg(5)的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有UIS能力，符合RoHS标准。

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FDP8880 / FDB8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是高性能沟槽技术，能够实现极低的rDS(ON)，低栅极电荷，高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。

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该文件介绍了FDB8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，该产品专为提高同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过了低门电荷、低rDS(ON)和快速开关速度的优化。

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该产品是一款1.4A，150V的N通道MOSFET，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点，适用于DC/DC转换器等应用。

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该文件是关于FDC2612的规格说明书。

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FDC3535是Fairchild生产的P型通道MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关和同步整流器等场合。

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FDC3612 是一款100V N沟道功率MOSFET，优化了低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度，适用于DC/DC转换器。

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FDC365P P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor制造的P型MOSFET，其最大电流为-4.3A，最大导通电阻为55mΩ。

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FDC5612是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，专门设计用于改善使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。这些MOSFET具有比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更快的开关速度和更低的门电荷。结果是一款更容易和更安全驱动的MOSFET（甚至在非常高频率下），以及具有更高整体效率的DC/DC电源设计。

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FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET，是由Fairchild公司生产的使用Fairchild的高压PowerTrench工艺制造的60V P-Channel MOSFET，该器件经过优化，可用于电源管理应用。

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该文件介绍了FDC602P型号的P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET的特点和特性，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

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该文档介绍了FDC604P型号的P-Channel MOSFET，采用低压PowerTrench工艺，适用于电池电源管理应用。具有-5.5A，-20V的特性，快速切换速度，极低的RDS(ON)等特点。

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FDC606P是一款P通道MOSFET，额定电压为1.8V，最大电流为-6A，最大电压为-12V，开关速度快，具有非常低的RDS(ON)。

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FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能MOSFET器件，采用先进的PowerTrench工艺，具有低阻态电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用。

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