Fairchild说明书大全

该PDF文件是关于FDB039N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET的数据手册。该MOSFET具有低导通电阻、快开关速度和低门极电荷，适用于DC/DC转换器和同步整流器等应用。

文件类型: PDF 大小:539 KB

FDB047N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点，应用于DC到DC转换器和同步整流等场景。

文件类型: PDF 大小:1024 KB

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V的漏极到源极电压，80A的漏极电流，5mΩ的漏极-源极电阻，以及低Miller电荷和低QRR二极管。

文件类型: PDF 大小:565 KB

该数据手册提供了FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性，包括额定电压、额定电流、漏源电阻、门源电压、栅极到源极电压等。

文件类型: PDF 大小:209 KB

FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 是N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60 V，额定电流为80 A，典型导通电阻为7mΩ。

文件类型: PDF 大小:600 KB

FDP075N15A_F102 / FDB075N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET器件，具有低RDS(on)、低门极电容、高电流处理能力等特点。

文件类型: PDF 大小:679 KB

该数据表是 FDB082N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 的数据表，该 mosfet 具有 RDS(on) = 6.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A，快速开关速度，低栅极电荷，高性能沟槽技术，极低 RDS(on)，高功率和电流处理能力，符合 RoHS 标准。

文件类型: PDF 大小:944 KB

FDB088N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、高开关速度、高耐压、高电流的产品，适用于DC/DC转换器和同步整流应用场合。

文件类型: PDF 大小:719 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该文档介绍了FDB120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻，快速开关速度，低门电荷和高功率处理能力等。

文件类型: PDF 大小:503 KB

该文档介绍了Fairchild公司生产的UniFET TM FDB12N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、提高的dv/dt能力等。

文件类型: PDF 大小:372 KB

该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有、平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。

文件类型: PDF 大小:2876 KB

该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、卓越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正应用。

文件类型: PDF 大小:349 KB

FDB13AN06A0/FDP13AN06A0 是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压60V，额定电流62A，导通电阻13.5mΩ。

文件类型: PDF 大小:301 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有100V的额定电压、57A的额定电流和15mΩ的导通电阻。采用了先进的PowerTrench工艺，以实现更低的导通电阻和优异的开关性能。适用于直流到直流变换器和同步整流等应用。

文件类型: PDF 大小:531 KB

该文件介绍了FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 产品的特点和特性，适用于开关模式电源供应器，具有低门电荷、改进的门极、阻尼特性和高dv/dt韧性等特点。

文件类型: PDF 大小:195 KB

FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款低阻抗功率MOSFET，具有低米勒电荷、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点。

文件类型: PDF 大小:276 KB

FDB2552 / FDP2552 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 150V、37A 和 36mΩ 的特性。它具有低 Miller 充电、低 QRR 体二极管和 UIS 能力 (单脉冲和重复脉冲)。

文件类型: PDF 大小:353 KB

该文件介绍了一种Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ产品的特点和特性。

文件类型: PDF 大小:363 KB