Fairchild说明书大全

FCA16N60N N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能产品。该产品采用先进的深沟填充工艺，具有超低RDS(on)、超低门极电荷、低有效输出电容等特点。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FCA20N60F 600V N-CHANNEL FRFET产品的特点特性，包括650V的工作电压、低导通电阻、快速恢复类型、超低门电荷、低有效输出电容等。

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FCA35N60 600V N 通道 MOSFET 是一款由 Fairchild 公司研发的新型高压 MOSFET 产品，具有 650V 的最大耐压、 0.079Ω 的低导通电阻和 340pF 的低输出电容等特点。

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该文件介绍了FCA36N60NF N-Channel MOSFET, FRFET产品的特点和特性，包括其低导通电阻、超低栅极电荷、低输出电容、100%的雪崩测试等。该产品适用于AC-DC SMPS、PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源等应用。

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FCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFET 是一款由 Fairchild 推出的高性能 MOSFET 器件，具有极低的导通电阻、超低的栅极电荷以及高耐压性能。这款器件非常适合用于各种 AC/DC 电源转换应用，可实现系统小型化和更高效率。

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FCA47N60F 600V N 通道 MOSFET, FRFET 是一种高性能新型高压 MOSFET, 具有卓越的低电阻和低门极电荷性能，适用于各种 AC/DC 电源转换应用。

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FCA76N60N N-Channel MOSFET，是fairchild推出的，采用了深沟填充工艺的新一代高压超级结MOSFET。该产品具有RDS(on) = 28mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A，Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)，Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特点。

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该文档介绍了Fairchild公司生产的FCB11N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括650V的电压、0.32Ω的RDS(on)、40nC的超低门电荷和95pF的低有效输出电容等。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation推出的FCB20N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括650V的耐压能力，0.15Ω的导通电阻，低门电荷和低输出电容等。

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FCB20N60F是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款600V N-CHANNEL FRFET，最大特点是具有极低的导通电阻Rds(on)=0.15�，快恢复时间trr = 160ns，低输出电容Coss.eff=165pF，100% avalanche tested。

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这是一款由Fairchild制造的FCB36N60N N通道MOSFET，额定电压为600V，额定电流为36A，额定电阻为90mΩ。其特点包括：RDS(on) = 81mΩ（典型值）@ VGS = 10V，ID = 18A；超低门极电荷（典型值为Qg = 86nC）；低有效输出电容；100%雪崩测试；RoHS 兼容。

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FCD4N60 600V N-Channel MOSFET，是Fairchild的新一代高压MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。

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FCD5N60/FCU5N60是fairchild公司生产的一款600V N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、低门极电荷和低输出电容等特点。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FCD7N60/FCU7N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括超低门电荷、低输出电容和高电压容忍能力。

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FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mΩ 是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的 MOSFET 产品，该产品采用深沟填充工艺，具有 RDS(on) = 0.330Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A、超低栅极电荷 (Typ.Qg = 17.8nC)、低有效输出电容等特点，符合 RoHS 标准。

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FCH22N60N是Fairchild Semiconductor公司生产的一款高压超结MOSFET，具有低导通电阻、超低栅极电荷和高抗浪涌能力等特点。

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该文件主要介绍了FCH25N60N N-Channel MOSFET的产品特性，如RDS(on)、Qg、EAS、IAR、EAR、dv/dt、PD等。

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FCH35N60是FAIRCHILD推出的一款N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻，低栅极电荷，低输出电容，100%雪崩测试。

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SuperFETTM是Fairchild公司的专有高压MOSFET系列的新一代产品，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。

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