Fairchild说明书大全

FDMS86200 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor公司生产的一种高性能功率MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换应用。

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FDMS86201 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低阻抗的 MOSFET，适用于 DC-DC 转换电源等应用。

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该数据表格提供了FDMS8622 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性参数，包括最大rDS(on)、功能、封装、应用等。

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该文件介绍了FDMS86250 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有最大的rDS(on)值为25 mΩ和33 mΩ，适用于DC-DC转换电源。它采用先进的封装和硅材料组合，具有低rDS(on)和高效率。

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FDMS86252 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一种高性能的开关器件，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。

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该文件介绍了FDMS86300 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有低rDS(on)和高效率的先进封装和硅结合技术。它还采用了下一代增强型体二极管技术，用于软恢复。该MOSFET经过100% UIL测试，符合RoHS标准。

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FDMS86300DC N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻(3.1 mΩ)，可应用于DC/DC转换器、电信二次侧整流器等场景。

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FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款具有低rDS(on)和高效率的MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。

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FDMS86320 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款低电阻、高效率、快速开关的功率MOSFET，应用于各种DC/DC转换器

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FDMS86322是一种N通道PowerTrench® MOSFET，具有80V的耐压和60A的额定电流。其特点是最大的导通电阻为7.65 mΩ，采用先进的封装和硅材料组合，以实现低导通电阻和高效率。

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FDMS86500DC N-Channel Dual CoolTM Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，具有极低的RDS(on)和出色的开关性能，适用于DC/DC转换器同步整流器，电信二次侧整流器和高端服务器/工作站。

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FDMS86500L N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低阻抗、高性能的N沟道MOSFET，适用于各种DC/DC转换器。

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该文件介绍了FDMS86520 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅结构、下一代增强型体二极管技术、100% UIL测试等。

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FDMS86520L N-Channel PowerTrench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 于 2011 年推出的一款低 rDS(on) 的 MOSFET，可用于 DC/DC 转换器。该器件采用 MSL1 封装，具有 100% UIL 测试和 RoHS 认证。

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FDMS86540是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、高效率、软恢复的特点，适用于DC/DC转换器中使用。

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FDMS8670S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30V, 42A, 3.5m� 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 MOSFET 器件，具有低 rDS(on) 和高效率的特点。

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FDMS8848NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款低rDS(on)和高效率的器件，最大电流为49A，最大阻抗为3.1 m欧

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FDMS8880 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的MOSFET，其最大导通电阻仅为8.5 mΩ，适用于笔记本电脑的同步降压应用。

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该文件介绍了一种N沟道功率晶体管，具有30V的电压、21A的电流以及9.5 mΩ的最大导通电阻。它采用了先进的封装和硅片组合，以实现低导通电阻和高效率。该产品适用于笔记本电脑、服务器、笔记本电池组和负载开关等应用。

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FDMS9600S双N通道PowerTrench®MOSFET是一款30V，32A，8.5mΩ的MOSFET。它具有低Qg高侧MOSFET和低rDS(on)低侧MOSFET，并且具有热效率高，双Power56封装，引脚优化，RoHS兼容等特点。

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