Fairchild说明书大全

FDP33N25 / FDPF33N25T 250V N-Channel MOSFET 是一款低导通电阻、低栅极电荷、低输入电容的功率场效应晶体管。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation所生产的FDP3672 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大额定电压、最大电流、低Miller电荷、低QRR体二极管、高效率、UIS能力等。该产品适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷式/柴油喷射系统、42V汽车负载控制、电子可变气门系统等应用。

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FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 35A, 42mΩ 产品具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability（单脉冲和重复脉冲）等特点。

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FDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，它具有51A、250V、RDS（on）=0.06Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型55 nC）、低Crss（典型63 pF）等特点。它采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有极低的开启电阻、卓越的开关性能，并且能够承受高能脉冲。该器件非常适合于高效开关电源和有源功率因数校正。

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FDP52N20 / FDPF52N20T 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 200V 的漏源电压，52A 的连续电流，0.049 欧姆的开关损耗。

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FDP55N06/FDPF55N06是Fairchild生产的N-Channel enhancement mode power field effect transistors，特点是55A, 60V, RDS(on) = 0.022 Ω @VGS = 10 V，低gate charge ( typical 30 nC)，低Crss ( typical 60 pF)，快速switching，100% avalanche tested，improved dv/dt capability。

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该文档介绍了FDP5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其RDS(on)、高性能沟道技术、低门电荷、高功率和电流处理能力等。适用于电机/负载控制、动力传动管理、喷射系统、直流-交流转换器和UPS等应用。

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该文件为FDP5N50NZ / FDPF5N50NZ N-Channel MOSFET的数据手册，该器件为N通道增强模式功率场效应晶体管，具有RDS(on) = 1.38 (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.25A，低栅极电荷（典型值为9nC），低Crss（典型值为4pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力，ESD改进能力，符合RoHS标准。

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FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ N-Channel MOSFET，额定电压600V，最大连续电流4.5A，电阻率2.0Ω。该产品具有低门控电荷（典型值为10nC）、低Crss（典型值为5pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD增强能力和RoHS兼容性等特点。

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FDP61N20是一款200V N通道MOSFET，具有61A、200V、RDS(on) = 0.041Ω @VGS = 10V等特性

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本文档介绍了FDMS8570SDC N-Channel PowerTrench® SyncFETTM产品的特点和特性，包括最大的rDS(on)，高性能技术和RoHS兼容性。

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FDMS86101是一款N沟道功率MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺生产，具有低通态电阻和高效率的特点。

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FDMS86101DC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有极低的沟道电阻，优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。

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MMSZ4688是一款电压为4.47-4.94V的5%容差Zener二极管，具有紧凑的表面贴装封装和500mW的功率承载能力。

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该文档介绍了FDMS86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、ESD保护等级和适用于直流-直流转换、逆变器和同步整流器等应用。

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FDMS86103L N-Channel Power Trench® MOSFET是一款100 V，49 A，8 mΩ的N沟道MOSFET，具有以下特点：最大RDS(on)=8 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A；最大RDS(on)=11 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A；先进的封装和硅芯片组合，可实现低RDS(on)和高效率；MSL1坚固的封装设计；100% UIL测试；符合RoHS标准。

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该文档介绍了FDMS86104 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅组合、MSL1稳健的封装设计、100% UIL测试以及符合RoHS标准。

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FDMS86105是一款N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应管。该产品具有最大34 mΩ的rDS(on)（在VGS = 10 V，ID = 6 A时），以及最大54 mΩ的rDS(on)（在VGS = 6 V，ID = 4.5 A时）。它采用先进的封装和硅材料组合，以实现低rDS(on)和高效率。该产品通过100% UIL测试，并符合RoHS指令。

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