Fairchild说明书大全

本文档介绍了FDP15N65 / FDPF15N65 650V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括15A的电流、650V的电压、低门电荷、快速开关速度等。

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这是一款使用Fairchild的专有DMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度和抗击穿和换流模式中的高能量脉冲能力。适用于高效的开关模式电源和主动功率因数校正。

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FDP17N60N / FDPF17N60NT N通道MOSFET是一款600V，17A，0.34欧姆的功率场效应晶体管。该产品具有RDS(on) = 0.29欧姆（典型值）@ VGS = 10V，ID = 8.5A，低栅极电荷（典型值48nC），低Crss（典型值23pF）,快速切换，100％雪崩测试，改进dv/dt功能，RoHS兼容等特点。

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FDPF190N15A N通道PowerTrench® MOSFET是一款高性能MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低反向恢复电容等特点。

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这是一份关于FDPF2710T型号250V N-Channel PowerTrench MOSFET的文件。该产品采用Fairchild Semiconductor公司的先进PowerTrench工艺生产，旨在最小化导通电阻并保持卓越的开关性能。

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FDPF320N06L N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 21A, 25mΩ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种高性能 MOSFET, 产品特点包括: 低导通电阻、低栅极电容、低反向恢复电流、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt 性能, 广泛应用于 DC 转 DC 等领域。

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该文档介绍了FDPF3860T N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。它具有低RDS(on)值、快速开关速度、低栅极电荷和高功率和电流处理能力。

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FDPF390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET器件，具有低RDS(on)、高开关速度、低门极电荷等特点，适用于DC/DC转换器和同步整流器等应用场合。

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该文件介绍了FDP39N20 / FDPF39N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括39A的电流，0.066Ω的RDS(on)，低门电荷和低Crss，快速开关速度，100%的雪崩测试结果以及改进的dv/dt能力。

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FDP3N50NZ / FDPF3N50NZ N-Channel MOSFET datasheet provides product information, such as product features, specifications, dimensions, and pictures, in Chinese

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该文件介绍了FDP44N25 / FDPF44N25T 250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括44A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss值等。

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FDP4N60NZ / FDPF4N60NZ是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，具有600V电压、3.8A电流和2.5Ω电阻。其特点包括低门电荷、低静态电容、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力和ESD改进能力。该产品符合RoHS标准。

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该文档介绍了2012年5月发布的FDP5N50F / FDPF5N50FT N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压，4.5A的漏极电流，1.55欧姆的导通电阻等。

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FDP5N50NZF / FDPF5N50NZF N-Channel MOSFET是一款500V，4.2A，1.75Ω的产品，具有RDS(on) = 1.57Ω（典型）@ VGS = 10V，ID = 2.1A、低栅极电荷（典型）9nC、低Crss（典型）4pF、快速开关、100％雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD改进能力、RoHS合规等特点。

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FDP5N50NZU/FDPF5N50NZU N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。产品特点包括：RDS(on) = 1.7Ω (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.95A、低栅极电荷(Typ. 9nC)、低Crss(Typ. 4pF)、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力、改进的ESD能力、RoHS 兼容。

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FDP5N50 / FDPF5N50T是一款N沟道MOSFET，具有500V的电压、5A的电流和1.4Ω的RDS(on)。它具有低电荷和低Crss，具有快速的开关速度和改善的dv/dt能力。它适用于高效的开关电源和有源功率因数校正。

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FDP5N50U / FDPF5N50UT N-Channel MOSFET, FRFET 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 1.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A、低门控电荷( Typ. 11nC)、低Crss( Typ. 5pF)、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS兼容性。

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FDPF680N10T是一款N通道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏源电压，12A的漏电流和68mΩ的导通电阻。该产品具有快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟道技术以实现极低的导通电阻和高功率、高电流处理能力。适用于直流到交流转换/同步整流。

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该文档介绍了FDP6N60ZU / FDPF6N60ZUT N-Channel MOSFET的特点和特性，包括RDS(on)、低门电荷、低Crss、快速开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等。

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