Fairchild说明书大全

FDS4141 P-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，具有高性能沟槽技术和极低的rDS(on)，可应用于同步和非同步降压、负载开关和逆变器等场合。

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FDS4410是一款逻辑级PWM优化的单N通道功率晶体管，具有10A的连续电流和30V的漏源电压。该器件适用于采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，可实现更高的转换效率。

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS4435 P-Channel MOSFET产品。该产品采用了PowerTrench工艺，具有低电阻、低门电荷、快速开关速度等特点，适用于功率管理、负载开关和电池保护等应用。

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FDS4465 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 是一款高性能的MOSFET器件，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，具有优异的低导通电阻(RDS(ON))，快速开关速度和高电流、功率处理能力。

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该文档介绍了2006年12月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的FDS4470 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET。该产品专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化，具有低门电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点。

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FDS4480是一款40V N沟道MOSFET，其RDS(ON)仅为12 mΩ，gate charge为29 nC，适用于DC/DC转换器等应用场合。

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这是一份关于FDS4488型号的30V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该产品使用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺制造，旨在最小化导通电阻并保持卓越的开关性能。适用于低电压和电池供电的应用，需要低线损耗和快速开关。

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本文介绍了2001年Fairchild Semiconductor Corporation的FDS4501H Complementary PowerTrench Half-Bridge MOSFET。该产品使用了Fairchild先进的PowerTrench工艺，具有最小的导通电阻和低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于直流/直流转换器、电源管理、负载开关和电池保护等应用。

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FDS4559是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款MOSFET器件，采用PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器、电源管理和LCD背光逆变器等应用。

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该文件介绍了FDS4672A型号的N沟道功率MOSFET，它通过优化低门电荷、低导通电阻和快速开关速度，专门用于改善使用同步或常规开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。

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FDS4675是一种P通道MOSFET，具有40V的最大导通电压，-11A的最大漏极电流，其特点是开关速度快，RDS(ON)非常低，适用于功率管理、负载开关和电池保护等应用

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括高性能的沟道技术、快速开关速度、高功率和电流处理能力等。该产品适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。

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这份文件介绍了2008年10月发布的FDS4897AC双N和P通道PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性。

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这份文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的双N和P通道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这些晶体管采用了PowerTrench工艺，既能降低导通电阻，又能保持优良的开关性能。适用于逆变器和电源等应用。

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这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS4935A双30V P-Channel PowerTrench MOSFET。它采用了先进的PowerTrench工艺，适用于需要宽范围门极驱动电压（4.5V-20V）的功率管理应用。它具有低导通电阻、低门电荷、快速开关速度以及高功率和电流处理能力等特点。

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FDS4935BZ 是双通道 P 沟道 PowerTrench MOSFET，具有快速开关速度和低门极电荷，可用于 DC/DC 转换器、同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器。

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该文档介绍了一款电子元件的绝对最大额定值，包括电压、电流和温度等参数。

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FDS5672 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 12A, 10mΩ 是一款低功耗、高性能的MOSFET，具有低门极电荷、高功率和电流处理能力，适用于DC/DC转换器等应用。

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本文档介绍了FDS5680器件的数据手册，包括器件的封装尺寸、引脚排列、最大工作电压、最大工作电流、最大功耗、工作温度范围等信息。

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