Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FDS6912 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS6912是一款双N通道逻辑级PWM优化PowerTrench MOSFET，其特点是速度更快，门极电荷更低，适用于使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器。
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FAIRCHILD FDS6930A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS6930A 是 Fairchild Semiconductor 生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，采用了 PowerTrench 工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，在这些应用中需要低线损和快速开关。
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FAIRCHILD FDS6930B Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS6930B是一款双N通道逻辑电平功率场效应晶体管，具有5.5A，30V的额定值，具有快速开关速度、低门电荷、高性能沟道技术等特点。
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FAIRCHILD FDS6961A Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS6961A是Fairchild Semiconductor公司生产的一种N沟道逻辑级MOSFET，具有低导通电阻、高性能和快速开关特性，适用于低压和电池供电应用
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FAIRCHILD FDS6975 Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS6975是Fairchild Semiconductor生产的双P通道逻辑级MOSFET，该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有超低导通电阻和低栅极电荷，非常适合笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换
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FAIRCHILD FDS6982AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFet(TM) 数据手册
FDS6982AS是一种用于替代同步DC:DC电源中两个单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管的器件，为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外围电压。它包含两个独特的30V N沟道PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。高侧开关（Q1）在减小开关损耗方面设计有特定的重点，而低侧开关（Q2）则优化以减小导通损耗。Q2还包括使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
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FAIRCHILD FDS6984AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET 数据手册
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FAIRCHILD FDS6986AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET 数据手册
FDS6986AS是专门为笔记本电脑等电池供电电子设备设计的同步DC:DC电源供应器中，替代两个单个SO-8 MOSFET和Schottky二极管的器件。它包含两个独特的30V、N通道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，旨在最大化功率转换效率。高侧开关（Q1）的设计重点在于降低开关损耗，而低侧开关（Q2）优化为降低导通损耗。Q2还包括集成的Schottky二极管，采用Fairchild的monolithic SyncFET技术。
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FAIRCHILD FDS6990AS Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 数据手册
FDS6990AS是Fairchild半导体公司推出的一款双N沟道功率MOSFET，它具有7.5A的最大电流、30V的最大电压、22mOhm的典型导通电阻和10nC的典型栅极电容，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。
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FAIRCHILD FDS6994S Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFet 数据手册
FDS6994S是一款双通道同步DC/DC电源芯片，采用N通道PowerTrenchMOSFET，集成了Schottky二极管，具有低导通电阻和低开关损耗的特点。
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FAIRCHILD FDS8433A Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册
该文件介绍了FDS8433A型号的P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高密度细胞设计和高功率处理能力。
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FAIRCHILD FDS8447 Single N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册
FDS8447是Fairchild Semiconductor Corporation生产的单N通道功率沟道MOSFET，它采用先进的PowerTrench®工艺，具有极低的rDS（on）和卓越的开关性能，适用于DC-DC转换应用。
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FAIRCHILD FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册
该文档介绍了2005年12月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的FDS8449 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司先进的PowerTrench工艺，具有低开态电阻和优异的开关性能。主要应用于逆变器和电源等领域。
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FAIRCHILD FDS86140 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册
FDS86140 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率和电流处理能力。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过优化，可实现rDS(on)、开关性能和坚固性。
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FAIRCHILD FDS86141 数据手册
FDS86141是一款N通道PowerTrench® MOSFET，其最大RDS(on)为23 m，最大额定电压为100 V，最大电流为7 A。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺，具有超低RDS(on)和卓越的开关性能。
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FAIRCHILD FDS86240 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册
FDS86240 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能MOSFET，其最大电阻为19.8mΩ，工作电压为150V，最大电流为7.5A
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FAIRCHILD FDS86242 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册
该文档介绍了FDS86242 N-Channel PowerTrench MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
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FAIRCHILD FDS86252 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册
FDS86252是一款N沟道功率沟槽MOSFET，具有最大55mΩ的漏源电阻和最大4.5A的漏极电流。采用高性能沟槽技术，具有极低的漏源电阻和高功率、大电流处理能力。广泛应用于直流-直流转换MOSFET。
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