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FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性,包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力,以及ESD保护等级等。

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FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET,采用了该公司的先进Power Trench®工艺,可将导通电阻降至最低,同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压,非常适用于DC-DC转换等应用。

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FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET,其最大rDS(on)为28 mΩ,最大HBM ESD保护电压为6 kV,具有非常低的Qg和Qgd,开关速度快,并通过了100% UIL测试,符合RoHS标准。

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FAIRCHILD FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册

该文档介绍了1998年3月发布的FDT459N N-Channel Enhancement Mode场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该晶体管采用了高密度单元的DMOS技术,具有极低的导通电阻和优越的开关性能。适用于低电压、低电流应用,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。

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FAIRCHILD FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDT458P是一款30V P通道PowerTrench MOSFET,适用于DC/DC转换器、电池充电器和电机驱动等应用。它具有快速开关和低栅极电荷的特点。

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FAIRCHILD FDT457N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册

该产品是N通道增强型场效应晶体管,其特点是具有极低的RDS(ON),高功率和电流处理能力,广泛应用于低电压、低电流应用中,如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。

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FAIRCHILD FDT439N N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册

FDT439N 是一款 30 V 低功耗 N 沟道 MOSFET。

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FAIRCHILD FDT434P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

FDT434P是一种P通道2.5V指定的PowerTrench MOSFET,其开关性能优越,采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造,该工艺专门针对最小化开态电阻而定制,同时又保持低栅极电荷。

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FAIRCHILD FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 数据手册

FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 是一款高性能的 MOSFET 器件,具有以下特点:2A 的额定电流,400V 的额定电压,3.4 欧姆的导通电阻,4.5 nC 的栅极电荷,3.7 pF 的漏源电容,快速开关速度,100% 的雪崩测试,改进的 dv/dt 能力。

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FAIRCHILD FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDT3612是一款100V N通道MOSFET,采用高性能沟槽技术,具有非常低的RDS(ON),因此具有快速的开关速度和低的门控电荷。它非常适合用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。

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FAIRCHILD FDS9958 Dual P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

这份文件介绍了FDS9958双P通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性,包括最大的导通电阻、最小的栅源电荷以及适用于便携式电子设备应用的特点。

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FAIRCHILD FDS9953A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDS9953A双30V P-Channel PowerTrench MOSFET。该产品具有广泛的门极驱动电压范围(4.5V - 25V),适用于功率管理、负载开关和电池保护等应用。其特点包括低门电荷、快速开关速度、极低的RDS(ON)和高功率和电流处理能力。

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FAIRCHILD FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N通道逻辑级MOSFET,该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷,适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器设计。

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FAIRCHILD FDS9934C Complementary 数据手册

FDS9934C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种双N-和P通道增强型功率场效应晶体管,使用了Fairchild Semiconductor Corporation先进的PowerTrench工艺,该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计,同时仍保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用,在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。

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FAIRCHILD FDS9933BZ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench? MOSFET 数据手册

FDS9933BZ是一款双P通道2.5V指定的PowerTrench® MOSFET,具有低RDS(on)、低栅极电荷、高性能沟槽技术和HBM ESD保护等特点

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FAIRCHILD FDS9933A Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

FDS9933A是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V MOSFET,具有极低的RDS(on)和快速的开关速度。

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FAIRCHILD FDS9926A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册

FDS9926A是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道2.5V指定MOSFET。它具有6.5A,20V的额定电流和电压,适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。

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FAIRCHILD FDS9435A Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册

FDS9435A 是一款30V P通道 PowerTrench MOSFET,适用于需要广泛的驱动电压额定值(4.5V – 25V)的功率管理应用。

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FAIRCHILD FDS9431A P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册

FDS9431A是Fairchild生产的一种高密度P通道MOSFET,具有-3.5A,-20V的最大电压和电流,低RDS(ON)和高功率处理能力。

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FAIRCHILD FDS9400A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDS9400A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款30V P-Channel PowerTrench MOSFET,它具有低门控电荷(2.4nC典型值)、快速开关速度、高性能沟道技术和非常低的RDS(ON),适用于功率管理、负载开关和电池保护等应用。

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