Fairchild说明书大全

该文件介绍了FDZ1905PZ型号的Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、占用PCB面积小、超薄封装、高功率和电流处理能力等。

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FDY4000CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N-P通道PowerTrench® MOSFET，具有低阻抗特性，适用于电源转换电路、负载/电源开关等应用场景。

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该文档介绍了FDY301NZ单通道MOSFET的特点和特性，使用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺进行设计，以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。其应用包括锂离子电池组。主要特点包括200mA, 20V的电流和5Ω @ VGS = 4.5V，7Ω @ VGS = 2.5V的电阻。此外，还具有ESD保护二极管和符合RoHS标准。

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FDY300NZ是Fairchild Semiconductor生产的N-沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) @ VGS = 2.5v非常低，适用于锂电池组等应用。

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这是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的 FDY3000NZ 双 N 通道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 的产品手册。该 MOSFET 的 RDS(ON) @ VGS = 2.5v 优化，应用于 Li-Ion 电池组。其特点包括 600 mA、20 V RDS(ON) = 700 m��@ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 850 m� @ VGS = 2.5 V、ESD 保护二极管以及 RoHS 兼容性。

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该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。

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FDY102PZ Single P-Channel (–1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFET, 该产品最大电阻为0.5欧姆，可用于锂离子电池包。

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FDV305N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N沟道MOSFET，该产品已针对电源管理应用进行了优化。其特点是低RDS(ON)，低门极电荷，快速切换速度。

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FDY1002PZ是一款双P通道功率MOSFET，特点是最大导通电阻低，适用于锂离子电池组等应用。

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本文件是FDY100PZ单P通道(-2.5V)指定PowerTrench MOSFET的使用说明书。

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该文档详细介绍了FDDY101PZ单P通道(– 2.5V)指定PowerTrench® MOSFET产品的特性，包括应用、特点、绝对最大额定值、电气特性等。

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2N7000BU/2N7000TA是N通道小信号MOSFET，具有快速开关时间、改进的感性坚韧性、较低的输入电容、扩展的安全工作区和改进的高温可靠性。

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FDV304P数字FET P通道是一种极低的开关电阻，具有优异的开关速度，可在3V电压下直接操作。该设备具有非常高的密度，可在低栅极驱动条件下最大限度地降低开启状态电阻。这种设备专门设计用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。

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该文档介绍了FDV303N数字场效应晶体管的特点和绝对最大额定值，以及其在电池电路和便携式电子设备中的应用。

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FDV302P是Fairchild生产的一种P通道逻辑级增强型场效应晶体管，其特点是工作电压低，RDS(ON)小，非常适合低压应用。

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FDV301N是Fairchild生产的低压应用逻辑级增强模式场效应晶体管，用于取代数字晶体管。该器件采用独有的高密度DMOS工艺，具有很低的导通电阻。该器件无需偏置电阻，可以替代多种不同偏置电阻值的数字晶体管。

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FDT86256 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的MOSFET产品，它具有低rDS(on)、快开关速度、RoHS兼容等特点。适用于DC-DC转换、逆变器、同步整流器等应用场合。

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FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。

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FDT86244 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能MOSFET，具有极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，可广泛应用于负载开关和主开关等领域。

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