Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FQD10N20C / FQU10N20C 200V N-Channel MOSFET 说明书
这是一份关于FQD10N20C / FQU10N20C 200V N-Channel MOSFET的PDF文件。该文件介绍了这些N-Channel增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括低导通电阻、优异的开关性能，以及在雪崩和换向模式下能够承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率的开关式DC/DC转换器、开关电源、无间断电源和电机控制。
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FAIRCHILD FQD11P06/FQU11P06 60V P-Channel MOSFET 说明书
该产品是一款P通道增强型功率场效晶体管，具有低导通电阻、快速开关等特点。
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FAIRCHILD FQD12N20L/FQU12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
该文档介绍了FQD12N20L / FQU12N20L型号的200V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、快速开关性能、高能量脉冲承受能力等。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、电机控制等应用。
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FAIRCHILD FQD13N06/FQU13N06 60V N-Channel MOSFET 说明书
该型号是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效开关电源管理等应用。
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FAIRCHILD FQD13N06L/FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
这份文件介绍了FQD13N06L / FQU13N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和对电极和换流模式中的高能量脉冲的抗性。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作的产品的高效开关功率管理。
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FAIRCHILD FQD13N10/FQU13N10 100V N-Channel MOSFET 说明书
该产品为FQD13N10 / FQU13N10 N-Channel MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度等特点，适用于音频放大器、DC/DC转换器等低压应用场合。
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FAIRCHILD FQD16N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书
该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQD16N25C型250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括16A的电流、0.27Ω的RDS(on)、低门电荷和低Crss、快速开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
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FAIRCHILD FQD17N08L/FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
QFD17N08L / FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于汽车、DC/DC变换器和DC电机控制等低压应用
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FAIRCHILD FQD17P06 说明书
FQD17P06 / FQU17P06是Fairchild生产的一种60V P通道MOSFET，具有优异的开关性能和低导通电阻。
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FAIRCHILD FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET 说明书
该文件介绍了Fairchild公司生产的FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于低压应用、汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
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FAIRCHILD FQD19N10/FQU19N10 100V N-Channel MOSFET 说明书
FQD19N10 / FQU19N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的高性能开关器件，具有低导通电阻、高频开关能力、小门极电容等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
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FAIRCHILD FQD19N10L/FQU19N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书
FQD19N10L/FQU19N10L是100V逻辑N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和DC马达控制等低压应用。
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FAIRCHILD FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书
该文件主要介绍了FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 的特性特点。
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FAIRCHILD FQA9N90_F109 数据手册
该文件介绍了FQA9N90_F109型900V N-Channel MOSFET的特点特性，包括电流、电压、开关速度等方面的参数。
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FAIRCHILD FQA90N15_F109 数据手册
FQA90N15_F109是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V、低门控电荷(典型值为220nC)、低Crss(典型值为200pF)、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、175°C最大结温等级和RoHS兼容性。
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FAIRCHILD FQH90N15 / FQA90N15 数据手册
这份文件介绍了FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET的特点和特性，包括90A的电流、150V的电压、低的RDS(on)值、低的门电荷和Crss值、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
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