Fairchild说明书大全

FDQ7N10L / FQU7N10L 是Fairchild推出的一款N沟道MOSFET器件，其额定电压为100V，最大电流为5.8A，导通电阻为0.35欧姆。

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FQD7N20L/FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的具有优良开关性能的功率场效应晶体管，特点是低导通电阻、低栅极电荷和低Crss，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等应用。

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该文件介绍了QFET的特点和优点

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这份文档介绍了2001年5月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的QFET TM FQD7P06 / FQU7P06 60V P-Channel MOSFET。这些产品采用了Fairchild的专有技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品的高效率开关电源管理。

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该文档介绍了QFET产品的特点和特性。

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这份文件介绍了FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有很低的导通电阻、出色的开关性能和耐高能脉冲的能力。它适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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QFET是一种新型的射频功率器件，具有高频率、高功率、高效率、高可靠性和低成本等特点。QFET在射频通信、雷达、电子对抗、卫星通信、微波加热等领域具有广泛的应用。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQH44N10_F133型号的N沟道MOSFET晶体管的特点和特性。该晶体管采用了先进的DMOS技术，具有低开态电阻、优异的开关性能和高能脉冲抗击穿和换向模式能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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FQH8N100C是Fairchild生产的一款1000V N通道MOSFET，具有8A电流、1.45欧姆的导通电阻、低栅极电荷和Crss，以及快速开关、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。

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这份文件介绍了FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换相模式的能力。

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该文档介绍了QFET产品的功能特性，可用于对电路实施数字控制。

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该数据表格提供了FQB4N90 / FQI4N90的产品规格信息，包括引脚定义、封装形式、最大工作电压、最大工作电流、开关速度、门极漏电等参数。

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FQL40N50是一款500V N通道MOSFET，由Fairchild制造，具有40A的持续电流和0.11欧姆的导通电阻。

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FQL40N50F是Fairchild制造的一种N沟道MOSFET，该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高dv/dt能力。

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FQN1N50C是一款500V N通道MOSFET，其特点是低RDS(on)、低门控电荷和快速开关，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。

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FQN1N60C是600V N通道MOSFET，具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为4.8 nC）、低Crss（典型值为3.5 pF）、快速开关和100％雪崩测试等特点。

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该文档为FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET的数据手册，介绍了该器件的特点特性，包括额定工作电压、电流、门电压、门电容等。

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该数据表提供了FQP10N20C/FQPF10N20C的数据信息，包括产品参数、特性、应用场景等。

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FQP11N40C/FQPF11N40C 400V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的低RDS(on)，高耐压N通道MOSFET，可以应用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等

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该文件介绍了QFET产品的特点和特性。

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