Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FQB30N06L/FQI30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册
FQB30N06L / FQI30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N沟道MOSFET。该器件具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。
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FAIRCHILD FQB33N10/FQI33N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册
这份文件介绍了FQB33N10 / FQI33N10这款100V N沟道MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能脉冲和换向模式下的耐受能力等。这些器件非常适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
文件类型: PDF 大小:939 KB
FAIRCHILD FQB33N10L/FQI33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册
该文件是关于N-Channel enhancement mode power field effect transistors的datasheet
文件类型: PDF 大小:1075 KB
FAIRCHILD FQB34N20/FQI34N20 200V N-Channel MOSFET 数据手册
本文件为某品牌的产品说明书，介绍了产品的功能特点以及使用方法。
文件类型: PDF 大小:1867 KB
FAIRCHILD FQB34N20L/FQI34N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册
该数据表提供了FQB34N20L / FQI34N20L N-Channel MOSFET产品的特性参数信息。
文件类型: PDF 大小:1052 KB
FAIRCHILD FQB34P10 / FQI34P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册
该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FQB34P10 / FQI34P10 100V P-Channel MOSFET产品的特点特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
文件类型: PDF 大小:782 KB
FAIRCHILD FQB44N10/FQI44N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册
这份文件介绍了FQB44N10 / FQI44N10 100V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低电压应用、低开关电阻、快速开关等。
文件类型: PDF 大小:1017 KB
FAIRCHILD FQB47P06/FQI47P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册
该文件介绍了Fairchild 60V P-Channel MOSFET的特性，包括低门极电荷（典型值为84 nC）、低Crss（典型值为320 pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等。
文件类型: PDF 大小:1208 KB
FAIRCHILD FQB4N80/FQI4N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册
FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的N沟道增强型功率场效晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效率开关电源。
文件类型: PDF 大小:8197 KB
FAIRCHILD FQB50N06/FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册
FQB50N06 / FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild制造的低压开关器件，其特点是低导通电阻、优异的开关性能、在雪崩和换向模式下可承受高能脉冲。
文件类型: PDF 大小:1039 KB
FAIRCHILD FQB50N06L/FQI50N06L 数据手册
该文件介绍了FQB50N06L / FQI50N06L 60V逻辑N沟道MOSFET的特点和特性。这些器件适用于低压应用，如汽车、DC / DC转换器和便携式和电池操作产品的高效开关功率管理。
文件类型: PDF 大小:1053 KB
FAIRCHILD FQB55N10/FQI55N10 100V N-Channel MOSFET 说明书
FQI55N10是一款100V N沟道MOSFET，由Fairchild生产。该器件具有55A的连续电流、0.026Ω的RDS(on)和100%的雪崩测试，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
文件类型: PDF 大小:1057 KB
FAIRCHILD FQB5N50C/FQI5N50C 数据手册
该数据表格介绍了FQB5N50C/FQI5N50C 500V N-Channel MOSFET的特性参数。
文件类型: PDF 大小:946 KB
FAIRCHILD FQB5N90/FQI5N90 900V N-Channel MOSFET 说明书
该文件是Fairchild Semiconductor International公司生产的FQB5N90/FQI5N90 900V N-Channel MOSFET的产品资料
文件类型: PDF 大小:1073 KB
FAIRCHILD FQB6N80/FQI6N80 800V N-Channel MOSFET 说明书
这是一份PDF文件，介绍了Fairchild Semiconductor International生产的FQB6N80 / FQI6N80 800V N-Channel MOSFET的特性和特点。
文件类型: PDF 大小:1076 KB
FAIRCHILD FQB7N60/FQI7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书
FQB7N60 / FQI7N60是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于高效率开关电源。其特点包括低通态电阻、快速开关速度、高能量脉冲和高耐压能力。
文件类型: PDF 大小:652 KB
FAIRCHILD FQB8N60C / FQI8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书
该数据表提供了FQB8N60C/FQI8N60C 600V N通道MOSFET的特性参数，包括额定电压、最大电流、开关速度、浪涌电流、门极电压等
文件类型: PDF 大小:966 KB
FAIRCHILD FQB8P10/FQI8P10 100V P-Channel MOSFET 说明书
该产品是Fairchild生产的一种P-通道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能脉冲承受能力等特点，适用于音频放大器、高效开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用场合。
文件类型: PDF 大小:668 KB
FAIRCHILD FQB9N50C/FQI9N50C 500V N-Channel MOSFET 说明书
FQB9N50C/FQI9N50C是Fairchild公司生产的一款500V N-Channel MOSFET，它具有低导通电阻、高开关速度等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等应用。
文件类型: PDF 大小:797 KB