Fairchild说明书大全

这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA24N60 600V N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。该产品非常适用于高效率的开关电源。

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FQA19N60是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有超低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率的开关电源。

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该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。

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该文件介绍了2N7002MTF产品的特点特性，包括较低的RDS(on)，提高的感应耐用性，快速的开关时间，较低的输入电容，扩展的安全工作区域以及改进的高温可靠性。

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FQA160N08是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道MOSFET。它具有低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。

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该文件是关于Fairchild Semiconductor International公司生产的FQA140N10 QFET QFET QFET QFET TM FQA140N10 100V N-Channel MOSFET的介绍。该产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力等特点。适用于低压应用领域，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2007年推出的FQA13N80_F109 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括12.6A的电流、0.75Ω的RDS(on)，低门电荷和低Crss等。

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FQA13N50CF是一款由Fairchild生产的500V N型沟道MOSFET，具有15A的额定电流、0.48欧姆的RDS(on)和43nC的栅极电荷。该器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度和快速恢复的体二极管。它适用于高效率的开关模式电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。

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FQA11N90C_F109 是一款900V N沟道 MOSFET，其特点是低门极电荷（典型值为 60 nC）、低 Crss（典型值为 23pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力、RoHS 兼容性。

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FQA11N90 / FQA11N90_F109 是一款 N 通道 MOSFET，最大电压为 900V，额定电流为 11.4A，具有低门极电荷、低栅极电阻、低栅极反向电容、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力等特点。适用于高效开关模式电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯具镇流器等应用场合。

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该文档介绍了FQA10N80C_F109 800V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括10A的电流，1.1Ω的RDS(on)，低门电荷，快速切换，100%的雪崩测试等。

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FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，该产品的最大电阻率为134 mΩ，占据 PCB 面积为0.64 mm2，封装高度小于0.4 mm，是一款低功耗、小型化、高性能的 MOSFET。

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FDZ661PZ是Fairchild生产的一款P通道1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，其特点是最大rDS(on)为140 mΩ，占用PCB面积小，封装高度低，ESD保护等级高。

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FDZ391P是Fairchild Semiconductor公司生产的一款1.5V P通道WL-CSP MOSFET器件。该器件具有低RDS(on)、低功耗、小封装等特点，适用于电池管理、负载开关、电池保护等应用场合。

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FDZ375P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司推出的一款产品，该产品具有极低的RDS(on)和极小的PCB面积，非常适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

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FDZ371PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET 是一种低功耗、高性能 P 通道 MOSFET，专门针对电池管理系统 (BMS) 和其他应用而设计，例如负载开关和电池保护。该器件采用先进的 1.5 V PowerTrench® 工艺和先进的“细间距”Thin WLCSP 封装工艺，可最大限度地减少 PCB 空间和 rDS(on)。

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FDZ197PZ是一款P通道功率MOSFET，采用1.5V PowerTrench工艺和WL-CSP封装技术。它具有低RDS(on)、占用PCB空间小、超薄封装、低门电荷等特点，并适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

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FDZ193P是Fairchild公司的一款P通道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET，其特点是最大RDS(on)为90mΩ@VGS=-4.5V,ID=-1A，占用PCB面积仅1.5mm2，厚度小于0.65mm，符合RoHS标准。

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FDZ192NZ是一款由Fairchild Semiconductor Corporation设计的N通道1.5V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET。该器件具有极低的RDS(on)，可在1.5V至20V的电压范围内工作，最大电流为5.3A。

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FDZ191P P-通道1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET具有最大RDS(on)为85mΩ、占用PCB面积为1.5mm2、高度低于0.65mm的特点，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

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