Fairchild说明书大全

这份文档介绍了FQD1N80 / FQU1N80型号的800V N-沟道MOSFET产品，采用Fairchild公司的专有技术生产。产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，非常适用于高效开关电源。

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FQD20N06 / FQU20N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild公司的一种高性能功率场效应晶体管，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用

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这是一份产品手册，介绍了FQD2N60C/FQU2N60C的特性，包括RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为8.5 nC）、低Crss（典型值为4.3 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等。

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FQD2N80 / FQU2N80 是Fairchild生产的800V N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、高频开关、100%雪崩测试等特点。

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该文件介绍了一种具有特点特性的产品。产品具有多种功能和优势，适用于各种场景和需求。

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FQD2P40 / FQU2P40 是一款400V P型通道 MOSFET，采用Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有极低的开关损耗、快速的开关速度和高耐压能力，适用于电子灯泡镇流器。

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FQU30N06 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该技术具有极低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力，非常适合用于低压应用，例如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中高效的电源管理。

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QD3N60C/FQU3N60C N沟道增强型MOSFET，额定电压600V，额定电流2.4A，开关特性好，无需外部电阻，适用于开关电源、电子灯调光等场合。

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这个文档介绍了FQD3P50 / FQU3P50 500V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速开关速度等。

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本文档介绍了华为企业级网络解决方案的关键技术、部署模式和典型应用，并详细阐述了华为云网融合解决方案的优势，包括多维可编程、多云融合、灵活智能、安全可靠等特点。通过本文档，你可以了解到华为企业级网络解决方案的关键技术和优势，并在华为云上快速构建适合你的企业级网络解决方案。

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QFET QFET QFET QFET是用于电力电子应用的快速切换器的开关组件。它是一种固态开关，利用半导体技术来控制电流，可以通过控制电流的开关来实现电力的切换。QFET QFET QFET QFET是一种高性能的开关，具有快速的切换速度和低的损耗。它被广泛应用于电力电子系统中。

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该文件介绍了一款250V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild的专有技术，具有低电阻、快速开关和较高的耐压能力等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器。

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FQD5N20L / FQU5N20L是飞利浦公司生产的200V逻辑N通道MOSFET，具有RDS(on)=1.2Ω @VGS = 10 V、低门控电荷 (典型4.8 nC)、低Crss(典型6.0 pF)、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和低电平门控驱动要求，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制。

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FQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET是飞兆半导体的一种N型增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体专有的平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器。

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FQD5P20 / FQU5P20是一种P通道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。

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该文件内容主要介绍了产品的特点特性，包括某某功能、某某设计等。

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该文档介绍了FQD6N40C / FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低开关电阻、快速开关性能、高能量脉冲耐受能力等。适用于高效率开关电源和半桥拓扑的电子灯电子镇流器。

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FQD6N50C / FQU6N50C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 500V N-Channel MOSFET，其特点是：4.5A、500V、RDS(on) = 1.2 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为 19nC）、低 Crss（典型值为 15pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力。

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