Fairchild说明书大全

FQP7P06是Fairchild生产的P型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和高dv/dt能力。

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这份文件介绍了FQP7N80C/FQPF7N80C型号的800V N沟道MOSFET产品。这些产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲耐受能力等特点，非常适用于高效率开关电源。

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FQP70N10是Fairchild Semiconductor International推出的一款N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造。该款产品具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器等低电压应用场景。

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FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的900V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。

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本文档介绍了FQP6N80C/FQPF6N80C这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能量脉冲下的耐受能力等。该产品适用于高效开关电源。

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该数据表格介绍了FQP6N40CF/FQPF6N40CF 400V N-Channel MOSFET的特性,包括额定电压、最大电流、门极电压、开关速度等。

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FQP6N40C/FQPF6N40C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的400V N沟道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。

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FQP65N06 60V N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管。该产品采用Fairchild的专有平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、高性能开关和高能脉冲承受能力。该产品适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，以及便携式和电池供电产品中的功率管理应用。

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该文件介绍了FQP5N60C/FQPF5N60C型号的600V N-Channel MOSFET的特点和特性。这些器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。

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FQP55N10是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，该产品采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。

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FQP50N06L是Fairchild生产的一款60V逻辑N通道MOSFET，其特点是低导通电阻、快速开关和175°C的最大结温

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FQP4P40是Fairchild Semiconductor生产的400V P通道MOSFET。该器件具有-3.5A，-400V，RDS(on) = 3.1Ω @VGS = -10 V，低栅极电荷（典型值为18 nC），低Crss（典型值为11 pF），快速开关，100％雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。

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这份文档介绍了FQP4N80 QFET TM FQP4N80 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速切换等特点，适用于高效率开关电源。

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FQP47P06是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%放电测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。

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QFET QFET QFET QFET是飞利浦公司生产的一款高性能功率器件，采用先进的制程技术，具有高耐压、高电流、低功耗等特性，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。

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该文件介绍了FQP45N15V2/FQPF45N15V2型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括最低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换向模式下能够承受高能脉冲的能力。该产品适用于直流到直流转换器、同步整流等需要最低导通电阻的应用。

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FQP44N10 是一款 43.5A、100V 的 N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的承受能力。该器件非常适用于音频放大器、高效率开关 DC/DC 转换器和 DC 电机控制等低电压应用。

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该文档介绍了Fairchild公司生产的FQP3P50 500V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲承受能力等。

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该文档介绍了FQP3P20 200V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关、高能量脉冲抗击和高效率开关DC/DC转换器等应用。

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FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的800V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲和改进的dv/dt能力。

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