Fairchild说明书大全

NDS352AP P通道逻辑电平增强型功率场效应晶体管产品特性

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该文档介绍了BC337/338 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于AF驱动级和低功率输出级，并与BC327/BC328互补。

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FQPF11P06是Fairchild生产的一种60V P型MOSFET，具有低门控电荷、低反向漏电、快速开关、高dv/dt能力等特点。

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FQP15P12/FQPF15P12是Fairchild公司生产的具有120V电压等级的P型MOSFET，其具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲等特点，适用于低电压应用场景，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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本文件为产品手册，介绍了QFET产品的特点特性。

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FQPF19N10是一款100V N沟道MOSFET，它采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。

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FQPF20N06是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的DMOS技术生产，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、DC/DC转换器等低电压应用，以及便携式和电池供电产品的高效率电源管理。

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FQPF20N06L是一种60V逻辑N沟道MOSFET。它具有15.7A的最大电流、0.055Ω的RDS(on)和低门控电荷，非常适合低压应用。

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本手册介绍了QFET的功能和使用方法。

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FQPF22P10是Fairchild制造的一种100V P通道MOSFET，具有低导通电阻、高开关性能、高能量脉冲承受能力、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。

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本白皮书由QFET公司发布，介绍了QFET产品的特点特性。

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FQPF27P06 是一款 60V P 通道 MOSFET，它具有低门极电荷、低 Crss 和快速开关特性。它适用于低电压应用，如汽车、DC/DC 转换器和便携式电池供电产品中的功率管理的高效率开关。

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这份文件介绍了FQPF2N70 QFET TM FQPF2N70 700V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲下的抗击穿和换向能力等。适用于高效率开关电源。

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FQPF2N80是Fairchild生产的一款800V N通道MOSFET，其特点是：1.5A，800V，RDS（on）= 6.3Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值为12 nC），低Crss（典型值为5.5 pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力。

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FQPF30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款60V逻辑N通道MOSFET，其特点包括低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及低门控电荷和低Crss。该器件适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效率电源管理开关。

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