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75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs，这是一款由Fairchild Semiconductor Corporation制造的N通道功率MOSFET器件，该器件具有高性能、低逆向恢复时间和存储电荷等特点，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理等应用。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75542P3和HUF75542S3S产品的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型、峰值电流与脉冲宽度曲线等。

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本文件是HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S 的数据手册，介绍了产品的特点特性，详细信息请查看原文件

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HUF75631P3, HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款超低导通电阻功率MOSFET。

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HUF75639G3、HUF75639P3、HUF75639S3S、HUF75639S3是美国FAIRCHILD公司生产的N沟道超级电源MOSFET，具有非常低的开关损耗、超高的开关速度、高电流密度和高可靠性等特点，适用于开关电源、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关、便携式电池供电产品等应用场合。

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HUF75652G3是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，其特点是开关电阻低，最大承受电压为100V，最大电流为75A。

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HUF75842P3 和 HUF75842S3S 是 43A、150V、0.042 欧姆 N 通道超低 on-resistance 的 Fairchild 超级 FET 功率 MOSFET。

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HUF75852G3是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel, UltraFET® Power MOSFET，其特点是超低的开关电阻（rDS(ON) = 0.016Ω, VGS = 10V），并提供仿真模型、可靠性信息等。

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该文件介绍了HUF76407D3和HUF76407D3S两款N-沟道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的PSPICE和SABER电气模型、Spice和SABER热阻模型等。

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该产品是一款N沟道逻辑级超低阻力功率MOSFET，具有超低门极电阻（rDS(ON) = 0.030Ω，VGS = 10V，rDS(ON) = 0.035Ω，VGS = 5V），可用于各种应用。

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HUF76429P3, HUF76429S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET。

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该文件介绍了HUF76439P3和HUF76439S3S型号的Fairchild半导体产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的模拟模型和热阻模型，以及峰值电流与脉冲宽度曲线和开关时间与RGS曲线等。还提供了订购信息和绝对最大额定值。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF76609D3和HUF76609D3S产品。这些是N-通道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET，具有超低导通电阻和高峰值电流承受能力。文档中还提供了产品的封装符号、特性和特点，以及订购信息和绝对最大额定值。

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HUF76629D3 和 HUF76629D3S 是 20A、100V、0.054 欧姆、N 沟道、逻辑级 UltraFET® 功率 MOSFET。

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HUF76639P3, HUF76639S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET

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HUFA75852G3_F085 是一款75A，150V，0.016 Ohm，N-通道，UltraFET® 功率 MOSFET，采用 JEDEC TO-247 封装。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUFA76429D3和HUFA76429D3S型号的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型和温度补偿模型、峰值电流与脉冲宽度曲线、UIS评级曲线以及开关时间与RGS曲线等。

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该文件介绍了IRFM120A产品的特点和特性，包括抗冲击技术，低输入电容，改进的栅极电荷，扩展的安全工作区域，低漏电流等。该产品具有较低的漏电流和导通电阻，适用于IEEE802.3af标准。

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IRL640A是一款具有以下特点的功率MOSFET：逻辑电平门控、耐电压、耐电荷、输入容量较低、门电荷改善、安全工作区域扩展、漏电流较低、导通电阻较低。

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