Fairchild说明书大全

本文介绍了使用BCM功率因数校正(PFC)控制器的LED应用设计指南，适用于200W照明系统。通过实验验证了设计程序和200W原型转换器。

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本文主要介绍了LLC谐振半桥转换器中的MOSFET失效模式及机理，并提供了一种简单而有效的抑制措施

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本文介绍了SupreMOS®产品在硬开关应用中门极电阻（Rg）的设计指南。通过优化门极驱动，可以实现更高的功率转换效率。文章还说明了Rg的最小和最大推荐值，并提供了根据不同条件选择Rg的表格。同时，还介绍了使用SupreMOS产品替代其他功率型MOSFET时需要考虑的开关损耗问题。

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本文介绍了SupreMOS® MOSFETs的门极电阻设计指南。讨论了门极电阻的最小和最大值，以实现在硬开关应用中的最佳性能。

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本文介绍了在间断电流模式功率因数校正应用中，平面技术功率MOSFET相较于超结技术装置在成本上具有竞争力，并提供了性能优势。通过数学模拟和系统级实验验证了这些优点。Fairchild的一款新型平面技术功率MOSFET显示出更快的开关特性，有助于提高效率和降低器件温度。

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该文件介绍了PowerMOS晶体管的UIS评级系统,用于评估晶体管是否能够承受UIS应力水平

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本应用笔记介绍了Fairchild的单脉冲无钳位感性开关（UIS）额定曲线。这些曲线用于评估功率MOSFET在单脉冲UIS条件下对瞬态电压浪涌的耐受性。这些曲线可以帮助设计人员在设计应用时选择最适合其应用的MOSFET。

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本应用笔记介绍了UniFET™ II 新型功率MOSFET, 其专为谐振转换器设计，具备优异的体二极管特性，可在谐振转换器中确保更高的可靠性及效率

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该应用笔记介绍了微FET 1.6x1.6毫米的组装指南

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本应用笔记介绍了Fairchild Semiconductor的FCS快速体二极管MOSFET（AN-7536），该MOSFET可用于相位移ZVS PWM全桥DC/DC变换器。FCS MOSFET具有快速反向恢复特性，可在相位移桥中实现ZVS开关条件，从而提高效率和功率密度。

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本应用说明书主要介绍Power33的封装工艺

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该应用笔记介绍了MicroFET 2x2的组装规范和建议，包括组装前准备、安装方法、回流焊接和后段处理等。

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该应用说明介绍了MicroFET 2x2的组装指南

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该文件介绍了一种新颖的离线功率因数校正-PWM组合控制器的方法。该控制器能够提高功率使用效率并降低线路电流的谐波含量。

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本文介绍了一种简单且经济的方法，可以将固定频率的PWM控制器与宽频率范围进行同步。讲解了为什么需要同步以及单频同步的常见方法和局限性。接下来介绍了宽频率范围同步的主题，并提供了一个基于相位锁定环(PLL)的创新方法的方框图。给出了一个实际的设计示例，包括设计公式和一个用于将ML4824-1同步到25kHz至75kHz范围内任何频率的原理图。所提供的电路可用于使用RC产生的电压斜坡的任何控制器。

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ML4824是美国FAIRCHILD公司推出的一款高性能电源控制器，该应用笔记介绍了ML4824的工作原理和应用电路

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NDS356AP是一款P-Channel逻辑电平增强模式功率场效应晶体管，适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等，具有快速高侧开关和低线损耗等特点。

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NDS8425是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，使用PowerTrench工艺制造，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于DC/DC转换器和负载开关等应用

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