Fairchild说明书大全

RFD16N05, RFD16N05SM 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation制造的一种功率MOSFET，具有16A、50V、rDS（ON）= 0.047 Ω、Temperature Compensating PSPICE® Model、Peak Current vs Pulse Width Curve、UIS Rating Curve、175oC Operating Temperature等特性。

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RFD16N06LESM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel power MOSFETs，具有16A，60V，0.047 Ohm，Logic Level的特点。

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这是一款11A，60V，0.107 Ohm，Logic Level，N-Channel Power MOSFETs，它由Fairchild Semiconductor Corporation公司生产。

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RFP12N10L 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors，专为使用logic level (5V) driving sources的应用而设计，如programmable controllers、automotive switching和solenoid drivers。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的RFG50N06、RFP50N06和RF1S50N06SM三种型号的N-Channel功率MOSFET的特点和特性，包括使用MegaFET工艺制造、优异性能、适用于开关稳压器、开关转换器、马达驱动器和继电器驱动器等应用等。

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RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-通道功率MOSFET，具有70A，60V，0.014 Ohm的特点。它们是为在开关稳压器，开关变换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用中使用而设计的。这些晶体管可以直接由集成电路操作。

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Si3443DV是一款P-Channel 2.5V规定PowerTrench MOSFET。它具有-20V的漏极-源极电压和±8V的栅极-源极电压。其漏极电流连续为-4A，脉冲为-20A。该器件的最大功耗为1.6W。工作和存储结温范围为-55到+150°C。

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这是Si3457DV的官方数据表。它是Fairchild生产的单P通道逻辑电平PowerTrench MOSFET。它已被优化用于电池电源管理应用。

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司的SI4435DY 30V P-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。

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Si4532DY*是一款双N-和P-通道增强型场效应晶体管，具有特殊的特性和特点。

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Si4542DY是Fairchild Semiconductor International推出的一款30V互补型PowerTrench MOSFET。该器件具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器和电源管理应用。

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SSN1N45B 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一种 450V N 通道 MOSFET ，该器件采用 Fairchild 专有的平面 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲电压承受能力和 dv/dt 能力，适用于半桥配置的电子镇流器。

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该数据表格提供了FQD3N50C / FQU3N50C 500V N-Channel MOSFET的特性参数。

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中文摘要: 本文档介绍了xxx品牌xxx型号产品的功能特点，并对其进行了测试。测试结果表明，xxx产品具有xxx、xxx、xxx等特点，适用于xxx场景。

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QFET系列产品是公司推出的最新一代高性能、高可靠性、高集成度、低功耗、高性价比的车规级电力电子器件。产品线涵盖快恢复二极管、肖特基二极管、整流桥、功率模块、IGBT等。QFET采用先进的设计技术和工艺，具有卓越的性能、可靠性和高性价比，广泛应用于汽车电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、通信等领域

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HUF75321D3ST 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的创新型N通道功率MOSFET，具有最低的硅面积开关阻抗，性能卓越。

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HUF75321P3, HUF75321S3S 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 制造商为Fairchild Semiconductor Corporation。这款产品具有35A, 55V的额定电流和电压。它采用创新的UltraFET®工艺制造，具有最低的硅面积开关阻抗，能实现出色的性能。该器件能够承受高能量雪崩模式，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它专为在功率效率至关重要的应用中使用而设计，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

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这份文档介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET，其采用创新的UltraFET工艺制造，具有低电阻和优异性能。该器件适用于功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、马达驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携和电池操作产品的电源管理。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75332G3、HUF75332P3、HUF75332S3S型号的N-Channel UltraFET功率MOSFET。这些器件采用创新的UltraFET工艺制造，具有最低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受大能量的冲击，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它们广泛应用于功率效率重要的领域，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品中的电源管理。

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该数据手册介绍了HUF75339G3, HUF75339P3, HUF75339S3S 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs的产品特性和应用信息

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