Fairchild说明书大全

本文件详细介绍了IRLS640A MOSFET产品的特点特性，包括绝对最大额定值、热阻、电气特性等。

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MTD3055V是MTD公司的一款N沟道增强型场效应晶体管，其最大漏极电流为300mA，最大栅极漏极电压为20V，最大工作温度为125℃。

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本报告概述了德国工业4.0框架以及德国实施工业4.0框架的进展。德国工业4.0框架是由德国联邦经济和能源部（BMWi）于2011年12月发布的。该框架由五个主要要素组成：数字基础设施、互联工厂、互联产品、互联服务和互联价值链。德国工业4.0框架的目标是通过将人、机器和数据连接起来，实现更智能、更高效的制造。

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MTP3055VL N通道逻辑电平增强型场效应晶体管具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，是低电压、高频开关应用（如电源供应器和电机控制）的理想选择。

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NDP5060L/NDB5060L是Fairchild生产的逻辑级N通道增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS技术，具有Rdson极低、开关速度快、承受高能脉冲的能力，适用于低压应用领域。

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该产品是Fairchild生产的P通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的开启电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品适用于低压应用，如汽车、工业、通信、计算机等领域。

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该产品是一款P型逻辑级增强型电源场效应晶体管，具有-30 A、-30 V的额定电流和电压，具有极低的RDS（ON）和175°C的最大结温额定值。

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该文件是关于NDP6060L/NDB6060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的使用说明书。

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BC369是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款PNP型一般用途放大器，其最大集电极-发射极电压为20V，最大集电极-基极电压为25V，最大发射极-基极电压为5.0V，最大集电极电流为1.5A，工作温度范围为-55至+150℃。

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这份文件介绍了Fairchild半导体公司生产的双P-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistors。该产品采用Fairchild的专有Trench技术生产，具有很高的密度，旨在最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关速度。该产品特别适用于需要低电压、低电流高侧开关的低电压应用。

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该文件为NDP6060/NDB6060的特性介绍，介绍了该产品的特点和特性

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本文档介绍了NDP7060 / NDB7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的绝对最大额定值、产品特点、技术规格等信息。

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NDS0605是Fairchild生产的P通道增强型场效应晶体管，该晶体管具有低RDS(ON)、高密度、高饱和电流等特性，适用于低压低电流应用场景。

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NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 是一款电压控制的小信号开关，具有低 RON（on）和高饱和电流。

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NDS331N N 通道逻辑级增强模式场效应晶体管是费尔柴德公司生产的高密度、DMOS 技术生产的器件。该器件具有非常低的 RDS(ON)，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用中需要快速切换和低线路功耗的应用场合。

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NDS332P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild公司生产的一种低电压应用场效应管，产品具有非常低的开关电阻，适用于笔记本电脑电源管理、便携式产品和消费类电子产品等应用场合。

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NDS351AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道逻辑电平MOSFET，采用PowerTrench技术，具有超低导通电阻、超低栅极电荷和超小封装。

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NDS351N是Fairchild的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管,采用铜引脚框架的专利封装设计,具有优异的热和电气性能。高密度单元设计,具有极低的RDS(ON)。出色的阻抗和最大直流电流能力。紧凑的行业标准SOT-23表面贴装封装。

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