Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FQPF33N10 说明书
FQPF33N10是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
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FAIRCHILD FQPF33N10L 说明书
FQPF33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款产品，它采用了Fairchild自有的planar stripe DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力等特点。该产品适用于低压应用，如高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制。
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FAIRCHILD FQPF47P06 说明书
该数据表为FQPF47P06的绝对最大额定值、热特性、漏源电压、漏源电流、门源电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、功耗、工作和存储温度等参数。
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FAIRCHILD FQPF5N40 说明书
QFET是安森美半导体公司推出的一种新型电源开关器件，它具有体积小、功率大、开关速度快、开关损耗低等优点。QFET适用于各种电源应用，如开关电源、电机驱动、LED驱动等。
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FAIRCHILD FQPF5N90 说明书
FQPF5N90 是一种900V N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力。
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FAIRCHILD FQPF6N80T 说明书
FQPF6N80T是Fairchild的800V N沟道MOSFET，具有3.3A的最大持续电流和1.95欧的导通电阻，低门控电容和快速开关特性。
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FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(2)
FQPF70N10 是 Fairchild 生产的一款 100V N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于低压应用，如音频放大器、高效率切换 DC/DC 转换器和 DC 电机控制。
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FAIRCHILD FQPF7N60 说明书
本文介绍了一款Fairchild生产的N-通道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效开关模式电源。
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FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 说明书
FQP7N65C/FQPF7N65C是美国Fairchild公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术。该技术经过优化，可最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并且能够承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
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FAIRCHILD FQPF85N06 说明书
FQPF85N06是Fairchild生产的一款60V N-Channel MOSFET。它具有53A的最大电流输出，0.010Ω的开关电阻，86 nC的栅极电容和165 pF的寄生电容，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品的功率管理中的高效率开关。
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FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 说明书
FQP8N60C/FQPF8N60C是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
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FAIRCHILD FQPF8N60CF 说明书
该文件为FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET的产品手册，介绍了其特点特性，包括电流、电压、开关速度等。
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FAIRCHILD FQP9N25C/FQPF9N25C 说明书
该数据表提供了FQP9N25C/FQPF9N25C的特性参数信息，包括额定电压、持续电流、开关频率、门极电压、导通电阻等。
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FAIRCHILD 500V N-Channel MOSFET 数据手册
该文件介绍了FQPF9N50CF型号的500V N-通道MOSFET产品的特点和特性。
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FAIRCHILD FQPF9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册
FQPF9P25是Fairchild生产的一种250V P通道MOSFET，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关等特点。
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FAIRCHILD FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET 数据手册
这份文件是关于QFET的介绍。QFET是一种新型的半导体器件，具有高效率、低功耗和高可靠性等特点。QFET的应用范围广泛，包括电力电子、通信、医疗等领域。
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