Fairchild说明书大全
FAIRCHILD Assembly Guidelines for Asymmetric Dual Power33 Packaging 数据手册
该文件介绍了Fairchild Dual Power33封装的装配指南，该封装采用Molded Leadless Packaging（MLP）技术，具有低封装高度和出色的热性能，带有大型热垫，可直接焊接到印刷电路板（PWB）上。
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FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册
该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
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FAIRCHILD GreenBridge to Replace Conventional Diode Bridge in Power Over Ethernet Applications 数据手册
Fairchild 的 GreenBridge 解决方案可在 PoE 系统中降低桥接电路的功耗，从而获得高效且经济的 PoE 系统。
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FAIRCHILD Guidelines for Using Fairchilds Power56 数据手册
该手册介绍了Power56 MOSFET的使用方法，包括安装技术和电路设计，该MOSFET具有小型化、高性能、低功耗的特点
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FAIRCHILD Assembly Guidelines for Dual Power56 Packaging 数据手册
这份应用笔记主要介绍了双极Power56封装的装配指南
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FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1)
本文件介绍了一种精确描绘垂直DMOS功率MOSFET的热和电气特性的经验自加热SPICE MOSFET模型。
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FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1)
本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型，该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性，并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应，并且独立于 SPICE 的全球温度定义。
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FAIRCHILD AN-9034 Power MOSFET Avalanche Guideline 数据手册
本文介绍了功率MOSFET作为开关器件在开关电源和DC-DC转换器中的应用。它们的操作频率不断增加，以减小尺寸，增加功率密度。这导致高di/dt，并加剧寄生电感的负面影响，在器件关断期间导致功率MOSFET漏极和源极之间的高电压尖峰。幸运的是，功率MOSFET配备了一定程度的耐压能力，不需要昂贵的保护电路。
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FAIRCHILD AN7004 Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom Applications 数据手册
这份应用笔记提供了有关如何在48V电源转换器中选择主回路MOSFET的信息。介绍了不同类型的48V电源转换器的基本拓扑结构，并提供了选择FET的详细指南。
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FAIRCHILD AN1031 Considerations in Designing the Printed Circuit Boards of Embedded Switching Power Supplies 数据手册
此文档介绍了如何设计印刷电路板(PCB)，以便在开关电源中实现良好的性能。文中介绍了设计的关键规则和要点，以及如何在设计过程中避免常见的错误。
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FAIRCHILD AN1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 数据手册
该文件介绍了如何最大化 SOT-223 功率 MOSFET 的功率处理能力。该文件提供了铜安装垫的最佳设计方法，以提高组件性能和电路板封装密度。
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FAIRCHILD AN-9045 WLCSP Assembly Guidelines 数据手册
该文档介绍了Wafer level chip scale packaging (WLCSP)技术的特点和优势，以及Fairchild Semiconductor WLCSP组件的制造过程优化建议。
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FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册
本文介绍了如何通过优化设计铜贴，以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案，用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点，包括极低的导通电阻和改进的结-壳（RθJC）热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。
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FAIRCHILD AN-4153 Designing Asymmetric PWM Half-Bridge Converters with a Current Doubler and Synchronous Rectifier using FSFA-Series Fairchild Power Switches (FPS ) 数据手册
本设计手册介绍了使用Fairchild FSFA系列功率开关(FPSTM)构建不对称PWM半桥转换器的设计方法，该转换器使用电流倍增器和同步整流器。
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FAIRCHILD Semiconductor AN-7516 应用手册
本应用笔记介绍了一种用于测试无热沉功率MOS晶体管的安全工作区域的方法。该方法不使用热沉，而是依赖于器件封装的热电容（CT），以便在SOA测试期间预测器件外壳的温度。
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FAIRCHILD AN7525 PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET Packages 数据手册
本文档介绍了Fairchild MicroFET™封装的特点特性，包括小尺寸、低重量、薄底座和良好的热电性能。
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FAIRCHILD Design Consideration for Interleaved Boundary Conduction Mode PFC Using FAN9611 / FAN9612 数据手册
本文介绍了使用FAN9611/12的交错边界导通模式PFC的设计注意事项，包括设计电感器和零电流检测电路，选择元件以及闭环控制。该设计程序通过一个实验性的400W原型转换器进行了验证。FAN9611/12交错双BCM PFC控制器将两个并联的升压电源级180º相位差运行，将该控制技术的最大实际功率水平从200-300W扩展到800W以上。与通常在这个功率水平上使用的连续导通模式（CCM）技术不同，BCM提供了升压二极管的固有零电流开关（无反向恢复损失），这使得可以使用更便宜的二极管而不会降低效率。此外，由于功率级和有效的倍频器之间的波动抵消，输入和输出滤波器可以变小。具有峰值检测电路的先进的线路前馈可以在线路暂变期间最小化输出电压变化。为了保证在轻负载下稳定运行并减少开关损耗
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FAIRCHILD Design Guideline on 150W Power Supply for LED Street Lighting Design Using FL7930B and FAN7621S 数据手册
本文档介绍了150W LED路灯设计的设计准则，包括CRM PFC和LLC SRC，使用FL7930B和FAN7621S实现高功率因数和高功率转换效率。
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FAIRCHILD LED Application Design Guide Using BCM Power Factor Correction (PFC) Controller for 100W Lighting System 数据手册
本文介绍了使用FL7930 BCM功率因数校正(PFC)控制器的LED应用设计指南，包括设计感应器和零电流检测电路、选择组件以及闭环控制的步骤。FL7930具有过压保护和PFC准备功能，可用于触发其他功率级或与PFC电压条件同步操作。
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