Fairchild说明书大全

FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻，最大漏源电压为40V，最大漏源电流为18A，最大开关损耗为2.5W。该器件采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，具有高可靠性和低功耗特性，适用于同步整流器和负载开关等应用。

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FDS86540 N-Channel PowerTrench® MOSFET是FAIRCHILD的一种MOSFET，具有高性能沟槽技术，极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，广泛用于表面贴装封装。

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FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET，额定电压为30V，额定电流为14A，最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷，高功率和电流处理能力，并且经过100%的RG测试，符合RoHS标准。

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FDS8813NZ是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具有30V的漏极到源极电压，18.5A的漏极电流和4.5mΩ的最大导通电阻。该器件采用了先进的PowerTrench®工艺，适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。

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FDS8817NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 通道 MOSFET，其最大 rDS(on) 为 7mΩ，VGS = 10V，ID = 15A。该器件具有极低的 rDS(on)、高功率和电流处理能力，并符合 RoHS 标准。

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FDS8840NZ是一种N沟道功率沟道MOSFET，具有最大rDS(on)为4.5 mΩ，最大rDS(on)为6.0 mΩ，HBM ESD保护等特点。

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该文件介绍了FDS2572型号的N沟道MOSFET器件的特点和特性，包括优化的Rds(on)、低ESR、低总和Miller栅电荷，适用于高频DC至DC转换器应用。

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FDS2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型通道MOSFET，其特点是rDS(ON) = 57mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.1A, Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V，适用于DC/DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRMs、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统等场合。

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这是一份关于FDS2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该MOSFET采用高性能槽沟技术，具有低RDS(ON)、低门电荷、快速开关速度和高功率处理能力等特点。该产品专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统开关PWM控制器。通过使用这款MOSFET，可以实现更高的驱动安全性和效率。

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该文件介绍了FDS2672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET的最大额定参数和热特性，以及产品的特点和应用领域。

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FDS2734是Fairchild Semiconductor公司生产的一款单N通道MOSFET，该器件具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于DC-DC转换应用。

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FDS3512是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，能够在很高频率下进行驱动，从而提高DC/DC电源设计的整体效率。

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FDS3572是一款N沟道功率晶体管，工作电压为80V，最大电流为8.9A，电阻为16mΩ。该产品具有低Miller电荷、低QRR体二极管、高频率下的优化效率和UIS能力等特点。

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FDS3580是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道功率MOSFET，该器件具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，是设计高效率DC/DC电源的理想器件。

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FDS3590 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能晶体管，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，能够改善 DC/DC 转换器的整体效率。

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FDS3672 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款 100V、7.5A、22mΩ 的 N 沟道 PowerTrench® MOSFET。

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FDS3692是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高压N通道MOSFET，其特点是低RDS(ON)、低Qg(tot)、低QRR、优秀的高频效率和UIS能力。该产品适用于DC/DC转换器、Off-Line UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门系统等场合。

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该文件介绍了FDS3890型号的80V N-Channel Dual PowerTrench MOSFET产品的特点和特性，适用于直流/直流转换器，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，提高了功率转换效率。

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FDS3992是一款双通道功率MOSFET，具有100V的电压承受能力，4.5A的电流承受能力，以及62mΩ的导通电阻。它具有低米勒电荷、低反向恢复电荷的优点，能够在高频率下实现高效率。此外，它还具有UIS能力，可适用于DC/DC转换器、离线UPS、分布式电源架构、VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统等应用。

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