Fairchild说明书大全

FDP7N60NZ / FDPF7N60NZ N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DOMS技术生产，具有低RDS(on)、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力、ESD改进能力和RoHS合规性等特点。

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FDP80N06是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 8.5mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 40A，低栅极电荷（典型值为57nC），低Crss（典型值为145pF），快速开关，改进的dv/dt能力，符合RoHS标准。

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FDP8440是一款40V，277A，2.2mΩ的N通道PowerTrench® MOSFET。其特点是RDS(on) = 1.64mΩ（典型值）@ VGS = 10V，ID = 80A，Qg(tot) = 345nC（典型值）@ VGS = 10V，低Miller充电，低QRR体二极管，UIS能力（单脉冲和重复脉冲），RoHS兼容。适用于汽车发动机控制、动力总成管理、电机、继电器、电子转向、集成起动机/ 交流发电机、分布式电源体系结构和VRM以及12V系统的主开关。

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FDP8447L是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，采用PowerTrench技术，具有低rDS(on)、优化的BVDSS能力和快速开关特性，适用于逆变器和电源供应等应用场合。

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FDP8860是一款N通道MOSFET，额定电压为30V，额定电流为80A，最大导通电阻为2.5mΩ。该器件具有低栅极电荷、低rDS(on)和快速开关速度等特点。

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FDP8874是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET，额定电压为30V，额定电流为114A，额定导通电阻为5.3mΩ，主要应用于DC/DC转换器中。

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FDP8876 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的N通道MOSFET，其特点是低栅极电荷，低rDS(ON)和快速开关速度。

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Fdp8896是fairchild semiconductor corporation推出的一款n通道功率管，额定电压为30v，额定电流为92a，额定导通电阻为5.9mΩ。该器件采用了高性能的trench技术，具有极低的导通电阻和低栅极电荷，适用于dc/dc转换器等应用。

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FDP8N50NZ / FDPF8N50NZT N-Channel MOSFET 是一款 500V、8A、0.85Ω 的优质产品。它具有低导通电阻、低栅极电荷和低跨导等特点。该器件采用 Fairchild 的专有平面条形 DMOS 技术，具有快速开关和 100% 雪崩测试等优势，适用于高效率开关电源和有源功率因数校正等应用。

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FDPC8011S PowerTrench® Power Clip是一款25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，其特点是：低压降，内置互补开关节点，易于布线，可用于计算、通讯和通用电源应用。

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FDPC8013S PowerTrench® Power Clip是一款30V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET，具有低电阻、低寄生电感、易于使用等特点

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FDPF045N10A是Fairchild Semiconductor的N-Channel PowerTrench® MOSFET，额定电压100V，最大连续电流67A，导通电阻典型值为3.7mΩ。

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FDPF085N10A是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有低RDS(on)、快速开关速度、低栅极电荷等特点。

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该文档介绍了FDP10N50F / FDPF10N50FT N-Channel MOSFET的特点和特性，包括500V的电压，9A的电流，0.85Ω的电阻等。

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP10N50U / FDPF10N50UT N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压、8A的漏极电流、1.05欧姆的导通电阻等。

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FDP10N60ZU/FDPF10N60ZUT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力和快速开关特性。该器件适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。

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FDP12N50F / FDPF12N50FT N-Channel MOSFET是一款500V，11.5A，0.7Ω的N通道功率场效应晶体管，它具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

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这份文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP12N50U / FDPF12N50UT N-Channel MOSFET产品。该产品具有低的导通电阻、低的门电荷和低的Crss，具有快速切换和改进的dv / dt能力。该产品适用于高效的开关模式电源和主动功率因数校正。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP13N50F / FDPF13N50FT N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括500V的漏极到源极电压、12A的漏极电流、0.54Ω的导通电阻、低栅极电荷、低输出电容、快速开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。

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FDP14N30 / FDPF14N30 300V N-Channel MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，具有14A，300V，RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V，低门极电荷（典型18 nC），低Crss（典型17 pF），快速切换，100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。

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