飞利浦说明书大全

BZB784系列是低功耗的稳压二极管，采用SOT323(SC-70)封装。

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BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor是一款由Philips Semiconductors生产的NPN型晶体管，封装类型为SOT223，主要应用于MATV应用。

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BFG94是Philips Semiconductors生产的一款NPN 6 GHz wideband transistor，具有高功率增益、低噪声系数和低互调失真。它采用SOT223封装，主要用于通信和仪器系统。

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BFG92A/X是飞利浦半导体生产的一款NPN型双发射极5GHz宽带晶体管，它具有高功率增益和低噪声系数，适用于UHF和微波范围内的宽带应用。

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BFG92A/X是飞利浦半导体推出的一款NPN 5 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、金属化确保了卓越的可靠性等特点。应用于UHF和微波范围的宽带应用。

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BFG67W是菲利普半导体生产的一款NPN 8 GHz宽带晶体管，具有高功率增益和低噪声特性，适用于模拟卫星电视系统和便携式射频通信设备等应用。

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该文件介绍了BFG67系列NPN 8 GHz宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪音系数、高过渡频率和金属化工艺带来的可靠性。该系列产品适用于卫星电视调谐器和便携式射频通信设备等GHz范围的宽带应用。

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该文档介绍了BFG591 NPN 7 GHz宽带晶体管的特点特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化工艺确保良好的可靠性。该产品适用于MATV或CATV放大器和射频通信设备等GHz范围的应用。

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该文档介绍了BFG590和BFG590/X型号的NPN 5 GHz宽带晶体管的特点，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化保证可靠性。适用于MATV/CATV放大器和GHz范围内的射频通信用户设备，适用于具有脉冲或连续驱动的A类、AB类和C类放大器。

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Philips BFG541 NPN 9 GHz wideband transistor, features high power gain, low noise figure, high transition frequency, gold metallization ensures excellent reliability

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BFG540W是一款NPN 9 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数和高转换频率，适用于射频前端宽带应用，例如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话(CT2、CT3、PCN、DECT等)、雷达探测器、寻呼机、卫星电视调谐器(SATV)、MATV/CATV放大器和光纤系统中的中继放大器。

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该文件介绍了BFG540系列宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率和金属化层确保可靠性等。该晶体管适用于在GHz范围内的宽带应用，如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话、雷达探测器、卫星电视调谐器、MATV/CATV放大器和光纤系统中的中继放大器等。

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本数据表介绍了BFG520/X/XR型号的NPN 9 GHz宽带晶体管产品的特点特性，包括高功率增益、低噪声系数、高转换频率等。该产品适用于应用于GHz范围的射频前端，如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1、CT2、DECT等）、雷达探测器、寻呼机和卫星电视调谐器（SATV）以及光纤系统中的中继放大器。

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该文件介绍了BFG520系列NPN型9 GHz宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率等。适用于在GHz范围内的射频前端应用，如模拟和数字蜂窝电话、无线电话、雷达检测器、寻呼机和卫星电视调谐器以及光纤系统中的中继放大器。

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