飞利浦说明书大全
飞利浦 BFG505W BFG505W/X BFG505W/XR 数据手册
BFG505W是飞利浦半导体生产的一款NPN 9 GHz宽带晶体管，具有高功率增益、低噪声系数和高转换频率。主要应用于射频前端应用，如模拟和数字蜂窝电话、无线电话（CT2、CT3、PCN、DECT等）、雷达探测器、寻呼机、卫星电视调谐器（SATV）等。
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飞利浦 BFG505W BFG505W/X 数据手册
该文档介绍了BFG505W和BFG505W/X两种NPN 9 GHz宽带晶体管的特点和特性，包括高功率增益、低噪声系数、高过渡频率等。
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飞利浦 BFG480W 数据手册
本文件是BFG480W NPN wideband transistor的产品规格说明书。该产品具有高功率增益、高效率、低噪声系数、高转换频率、低反馈电容等特点，适用于高线性系统需求的射频前端(CDMA)、常用发射极类AB驱动器等应用。
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飞利浦 BFG425W 数据手册
这份文件介绍了BFG425W NPN 25 GHz宽带晶体管的特点，包括非常高的功率增益、低噪声系数、高过渡频率、低反馈电容等。该产品适用于RF前端、宽带应用、雷达探测器、寻呼机、卫星电视调谐器和高频振荡器。
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飞利浦 BFG410W 数据手册
BFG410W是Philips Semiconductors推出的一款NPN 22 GHz wideband transistor，具有很高的功率增益、低噪声系数、高转换频率和低反馈电容等特点，广泛应用于射频前端、宽带应用、雷达检测器、寻呼机、卫星电视调谐器和高频振荡器等领域。
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飞利浦 BFG403W 数据手册
BFG403W是一款NPN 17 GHz宽带晶体管，具有低电流、高功率增益、低噪声系数、高转换频率和非常低的反馈电容等特点。适用于寻呼机前端、射频前端等应用。
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飞利浦 BFG310W/XR 数据手册
这份文档介绍了一种NPN硅平面外延晶体管，具有高功率增益、低噪声系数和高过渡频率等特点。该产品适用于在GHz范围内的射频前端应用，如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话、雷达探测器、寻呼机和卫星天线电视调谐器等。
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飞利浦 BFG31 数据手册
BFG31是一款PNP型5GHz宽带晶体管，其特点是高输出电压能力、高增益带宽积和良好的热稳定性。它采用塑料SOT223封装，适用于宽带放大器应用。其NPN互补型是BFG97。
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PHILIPS BFG21W 数据手册
本文件为BFG21W UHF功率晶体管的产品规格说明书，介绍了该产品的特点特性，包括高功率增益、高效率、1.9 GHz工作频段、线性和非线性工作等。该产品应用于手持式无线电设备的1.9 GHz常用发射级和DCS1800、1900的驱动器。
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飞利浦 BFG16A 数据手册
bfg16a是philips公司生产的一款npn 2ghz宽带晶体管。它具有高功率增益、良好的热稳定性和优异的可靠性。该晶体管主要用于宽带放大器、天线放大器和高速示波器中的垂直放大器。
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PHILIPS BFG135 数据手册
BFG135是飞利浦公司生产的一款NPN硅平面外延晶体管，封装为SOT223，主要用于宽带放大器应用。其具有小的发射结构，集成发射极匹配电阻，保证了在低失真水平下的高输出电压能力。该器件的活动区域分布在整个器件表面，具有良好的温度特性。
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飞利浦 BFG11; BFG11/X 数据手册(1)
该文件介绍了飞利浦半导体的BFG11和BFG11/X型号的特点和特性，包括高功率增益、高效率、小尺寸离散功率放大器等。该产品适用于1.9 GHz的手持无线电设备中的共射AB类操作。
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飞利浦 BFG11W/X 数据手册(1)
该文件介绍了BFG11W/X型号的NPN 2 GHz功率晶体管的特点和特性，包括高功率增益、高效率、小尺寸离散功率放大器等。适用于1.9 GHz频段的共射类AB操作的手持无线电设备，如DECT、PHS，以及DCS 1800的驱动器。
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飞利浦 BFG11W/X 数据手册
BFG11W/X是一款由飞利浦公司生产的NPN 2GHz功率晶体管，具有高功率增益、高效率、小尺寸等特点，主要应用于1.9GHz频段的常用射频场景，如DECT、PHS等。
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飞利浦 BFG11; BFG11/X 数据手册
该数据表提供Philips Semiconductors BFG11; BFG11/X NPN 2 GHz RF power transistor的详细信息，包括产品特点、应用场景、引脚定义、性能参数等。
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