西门子说明书大全

BAT 114-099R 是半导体公司生产的一种硅肖特基二极管，其最大额定值为 IF = 90 mA，工作温度范围为 -55 至 +150 °C，存储温度范围为 -55 至 +150 °C，功耗为 100 mW。该二极管具有高阻断电压，适用于双平衡混频器、相位检测器和调制器。

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本文介绍了一种半导体器件——双Schottky二极管BAT 114-099。该器件具有高障碍二极管特性，适用于平衡混频器、相位检测器和调制器等应用。

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BFQ 82是一种NPN硅射频晶体管，适用于低噪声、高增益放大器，频率范围高达2 GHz。它具有线性宽带应用和封装密封陶瓷包装的特点。

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BFQ 81是一款NPN硅射频晶体管，适用于2GHz以下的低噪声放大器和宽频带模拟和数字应用，电流范围为0.5mA至20mA。

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BFQ 29P是NPN硅射频晶体管，最大集电极-发射极电压为15V，最大发射极-基极电压为3V，最大集电极电流为30mA，最大集电极-基极电压为20V，最大基极电流为4mA，工作温度范围为-65...+150℃，封装形式为SOT-23。

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BFQ 193 NPN Silicon RF Transistor是Semiconductor Group生产的一种低噪声，高增益放大器，可用于2GHz内的应用

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TDA 4601是专为开关模式电源设计的集成电路，用于驱动、控制和保护自振式飞回式转换器电源中的开关晶体管，以及保护整个电源单元。在干扰发生时，可防止二次电压升高。除了电视机、录像机、高保真设备和有源扬声器等IC应用范围外，由于其控制范围广，在负载变化增大时电压稳定性高，因此也可用于专业应用的电源单元。

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BF997是德州仪器公司生产的一种N沟道MOSFET，具有抑制杂散VHF振荡的集成抑制网络，适用于VHF应用，尤其是带有扩展VHF带宽的电视调谐器，例如CATV调谐器。

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这是一款BF996S型号的N通道MOSFET管，具有高导通率和低噪声特征，适用于UHF电视机的输入级

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该文件介绍了BF 987 G型号的硅N沟道MOSFET三极管，适用于高频级别高达300 MHz的应用，特别适用于FM应用。它具有高过载能力。

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