西门子说明书大全

SIEMENS BF 967 数据手册

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SIEMENS BF 926 数据手册

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SIEMENS BF 939 数据手册

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西门子 BGA 425 数据手册

该文件介绍了BGA 425半导体集团于1998年推出的Si-MMIC放大器的初步数据和特性。该放大器具有多功能级联50Ω模块、稳定性好、增益高、噪音系数低等特点。

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西门子 BGA 310 数据手册

BGA 310是一款硅双极MMIC放大器,具有可级联的50Ω增益块、1.0 GHz时的9 dB典型增益、1.0 GHz时的9 dBm典型P-1dB以及DC到2.4 GHz的3 dB带宽。

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西门子 BGA 312 数据手册

BGA 312是一款半导体产品,是一种硅双极MMIC放大器。它具有50Ω级联增益块、1.0 GHz时的11 dB典型增益、1.0 GHz时的9 dBm典型P-1dB和DC到2.0 GHz的3 dB带宽。

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西门子 BGA 318 数据手册

该文档介绍了BGA 318半导体集团的硅双极MMIC放大器。它具有可级联的50欧姆增益块、1.0 GHz时的16 dB典型增益、1.0 GHz时的12 dBm典型P-1dB、DC至1.2 GHz的3 dB带宽等特点。

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SIEMENS LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 数据手册

该数据表格为3mm(T1)LED的规格参数,包括产品型号、颜色、发光颜色、封装颜色、发光强度等信息。

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SIEMENS LS 3341, LY 3341, LG 3341 LP 3341 数据手册

该数据表提供了LS 3341, LY 3341, LG 3341 LP 3341系列LED的详细信息,包括产品特性、型号、封装颜色、发光颜色、发光强度等。

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SIEMENS LS 3340, LO 3340, LY 3340 LG 3330, LP 3340 数据手册

该文档是关于一种3mm(T1)LED的产品手册,产品的特点特性包括:染色、透明外壳、光导纤维耦合、光学指示器、可焊接引脚、带有支撑面的引脚、可带带状的卷盘、符合DIN40839标准的抗干扰能力

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SIEMENS SN 7002 数据手册

SN 7002是N通道增强型逻辑级小信号晶体管,其最大漏源电压为60V,最大直流漏源电流为0.19A,最大RDS(on)为5Ω。

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SIEMENS SN 7000 数据手册

SN 7000是德州仪器的一款N通道增强型逻辑等级小信号晶体管,其最大漏源电压为60V,最大漏源电流为0.25A,最大漏源电阻为5欧姆。

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SIEMENS HYB 3164160T -50/-60, HYB 3165160T -50/-60

这是一款4M x 16位动态随机存储器,采用了先进的64Mbit CMOS硅栅工艺,具有高性能和低功耗。

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SIEMENS 4M x 32-Bit Dynamic RAM Module HYM 324020S/GS-50/-60

该文件介绍了一款半导体产品,具有4M x 32位或8M x 16位的动态RAM模块。该模块具有快速访问和周期时间、快速页面模式能力、低功耗、CAS-before-RAS刷新等特点。

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SIEMENS SFH 400 SFH 401 SFH 402 Data Sheet

SFH 400, SFH 401和SFH 402是GaAs红外发射器。

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SIEMENS BPX 43 Data Sheet

BPX 43是一种NPN硅光电晶体管,具有450nm到1100nm的应用范围和高线性度。它采用密封的金属外壳(TO-18)和基极连接,适用于125°C的环境。它可用于光电开关和工业电子等应用。

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SIEMENS BBY 51-03W 数据手册

BBY 51-03W 是德州仪器公司生产的高Q超陡调谐二极管,其最大反向电压为7 V,最大正向电流为20 mA,工作温度范围为-55℃至150℃,存储温度范围为-55℃至150℃。该二极管主要用于移动通信设备的VCO中。

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SIEMENS KPY 41-MR, KPY 46-MA/MR 数据手册

该产品是一款硅压力传感器模块,具有高稳定性、高线性度、温度补偿的跨度和偏移电压、坚固的316L不锈钢外壳、带螺纹的压力连接端口、满量程5V输出信号和开漏输出。

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SIEMENS TLE 4202 B Data Sheet

该文档介绍了一种半导体芯片,用于驱动磁铁、电机或其他负载。该芯片适用于汽车领域,在-40°C至130°C的温度范围内工作。它包含两个放大器,具有80 dB的开环电压增益。输入级为PNP差分放大器,共模输入电压范围为0V至VS,最大差分输入电压为VS。为了在沉降电路中获得低饱和电压,沉降晶体管的驱动电路连接到供电电压。该芯片还包含一种SOA保护电路,可以保护芯片免受地线短路的影响。在芯片温度高于约160°C时,源晶体管会关闭。

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