ST说明书大全

ST93CS46 ST93CS47 1K (64 x 16) 序列微线 EEPROM

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L7900系列三端负压调节器采用TO-220、TO-220FP、TO-3和D2PAK封装，提供多种固定输出电压，广泛应用于各种电路中。

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该文件介绍了一个用于PABX和键系统应用的高度集成的用户线路接口套件，实现了BORSCHT功能的所有关键元素，包括零交叉平衡振铃注入、消除外部继电器和集中振铃发生器、振铃序列期间零噪声注入相邻线路等特点。

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这份文档介绍了2002年12月1日发布的STP6NC80Z和STB6NC80Z系列N沟道800V功率MOSFET。这些MOSFET具有1.5Ω的典型导通电阻、5.4A的电流能力、极高的dv/dt能力和门源极间稳压二极管。此外，它们还通过100%的雪崩测试以及极低的门极输入电阻来提供额外的ESD能力和更高的耐久性性能。该文档还列举了该系列MOSFET的绝对最大额定值和适用的应用领域。

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该文件介绍了STLC2410B的产品特性，包括支持蓝牙V1.1规范、点对点连接、点对多点连接、异步连接和同步连接等

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该文件介绍了1.5KE系列TRANSILTM I峰值脉冲功率为1500W(10/1000µs)，具有6.8V至440V的击穿电压范围，具有低电压保护特性和快速响应时间。

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该文件介绍了2008年6月发布的Rev 10 1/17 17 TL082 TL082A TL082B通用JFET双运放器的特点，包括宽广的共模和差分电压范围、低输入偏置和偏移电流、输出短路保护、高输入阻抗JFET输入级、内部频率补偿、无锁定操作和高斜率等。

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BUF420M是一款高压快速开关NPN功率晶体管，具有高电压能力、非常高的开关速度和可靠操作的最小批次间差异。它适用于开关模式电源和电机控制等应用。

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M27V401是一种低电压4 Mbit EPROM，可提供UV和OTP两种擦除方式。它适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统，以524,288 x 8位的方式组织。M27V401在3V的供电电压下以读模式运行。操作功率的降低可以减小电池尺寸或延长电池充电时间。

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M25Pxx是一种512Kbit到32Mbit（2M x 8）的串行闪存存储器，具有高速SPI兼容总线访问和先进的写保护机制。它可以通过页面编程指令以1到256字节的方式进行编程。存储器被组织为多个扇区，每个扇区包含256或128页，每页宽度为256字节。可以使用批量擦除指令擦除整个存储器，或者使用扇区擦除指令逐个擦除扇区。

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该文档介绍了L79L00系列负电压调节器的产品特性，包括输出电流、输出电压、温度范围、输入电压等。

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M95256和M95128是互换的256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟速率，高达10MHz时钟速率，5ms写入时间。该数据表提供了M95256和M95128的规格、封装、引脚图和逻辑图。

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M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。

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M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER® SRAM是超低功耗SRAM，集成了实时时钟、电源故障控制电路、电池和晶体，具有精密功率监视和电源切换电路，当VCC超出范围时，会自动写入保护。

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M29F400BT，M29F400BB为4Mbit（512Kb x 8或256Kb x 16，Boot块）单供电闪存，支持5V±10%电压，读取、编程、擦除时间分别为45ns、8µs、20年数据保留时间，产品特点包括11个存储块、嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解保护模式、低功耗

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M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8或2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 是M29DW324DB产品的详细信息手册

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M29F102BB是单供电闪存，支持1Mbit（64Kb x16，启动块），具有以下特点：单5V±10%供电电压，用于编程、擦除和读取操作；35ns的访问时间；8µs的编程时间，每个字典典型；5个存储块，1个启动块（底部位置），2个参数块和2个主块；嵌入式字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，加快生产/批量编程；临时块保护模式；待机和自动待机，每个块支持100,000次编程/擦除周期；与M28F102兼容，引脚排列和读取模式；20年的存储保留，缺陷率低于1ppm/年；电子签名，制造商代码为0020h，底部设备代码M29F102BB为0097h；兼容无铅焊接工艺，提供无铅版本。

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X02系列是施耐德电气公司生产的一款高灵敏度的1.25A SCR，适用于所有可用栅极电流有限的应用，例如接地故障电路断路器、低功率电源的过压防护、电容起动电路等。该系列产品具有优异的正向压降和浪涌电流能力，可在恶劣环境下实现功耗降低和高可靠性。

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VS6552是一款VGA分辨率SmOP传感器模块，具有小尺寸、超低功耗待机模式、集成镜头、卓越的低光性能、高帧率、低电磁干扰等特点。

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TL084是德州仪器公司的一款高性能、高增益、低噪声的J-FET输入四运算放大器，具有宽的共模电压范围、低输入偏置电流和输出短路保护功能。

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