ST说明书大全

这份文档介绍了74LCX05低压CMOS开漏六反相器的特点和特性。该产品具有5V兼容输入、高速传输、电源保护、对称输出阻抗、可靠的PCI总线电平、广泛的工作电压范围、与74系列05兼容、超过500mA的锁定性能以及强大的静电保护和过电压保护能力。

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该文档介绍了M95640和M95320两种型号的串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟和多种特性。它们兼容SPI总线串行接口，支持单一供电电压，具有可调节的读写保护、字节和页写入功能，以及自定时编程周期等特点。此外，它们还具有增强的ESD保护能力、超过100,000或1,000,000次的擦除/写入循环寿命以及超过40年的数据保留能力。

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该文件介绍了ST公司的M88系列产品，这是一款可在系统中编程的多存储器和逻辑FLASH+PSD系统。它具有单一供电电压，主闪存内存为1或2 Mbit，第二个非易失性存储器为256 Kbit的EEPROM或闪存，以及16 Kbit或64 Kbit的静态随机访问存储器。它还具有超过3000个门的可编程逻辑器件，27个可重配置的输入/输出端口，增强型JTAG串行端口，可编程电源管理以及高耐久性等特点。

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M50FW040 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) 3V Supply Firmware Hub Flash Memory 是东芝公司的产品，其特点是供电电压为VCC = 3V to 3.6V，支持程序、擦除和读取操作，支持12V的快速擦除，具有两个接口，分别是Firmware Hub (FWH) Interface和Address/Address Multiplexed (A/A Mux) Interface，支持读写操作，支持硬件写保护和基于寄存器的读写保护，同时有5个额外的通用输入，以便在平台设计中更加灵活，并且与33MHz PCI 时钟同步，编程时间为10µs，具有8个统一的64 Kbyte 内存块，支持嵌入式字节编程和块擦除算法，同时还有状态寄存器位。

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M48Z58/58Y ZEROPOWER® RAM是一款8K x 8非易失性静态RAM，它在单个晶片上集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片采用两种特殊封装，可提供高度集成的备有电池的存储器解决方案。

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M36W832TE, M36W832BE是32 Mbit (2 Mb x16, Boot Block) Flash Memory和8 Mbit (512Kb x16) SRAM的组合产品。

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该文档介绍了M29W320DT/DB产品的特点特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、VPP/WP引脚、临时块解保护模式、通用闪存接口、低功耗、100,000次编程/擦除周期等

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该文档介绍了M29F016B 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory的特点和特性，包括单一供电电压、访问时间、编程时间、内存块、程序/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、临时块解锁模式、解锁旁路编程命令、低功耗、寿命、电子签名等。

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M29F002BT, M29F002BNT M29F002BB, M29F002BNB 2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory I SINGLE 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS I ACCESS TIME: 45 ns I PROGRAMMING TIME – 8 µs by Byte typical I 7 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 4 Main Blocks I PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits I ERASE SUSPEND and RESUME MODES – Read and Program another Block during Erase Suspend I UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND – Faster Production/Batch Programming I TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE I LOW POWER CONSUMPTION – Standby and Automatic Standby I 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK I 20 YEARS DATA RETENTION – Defectivity below 1 ppm/year I ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Top Device Code M29F002BT: B0h – Top Device Code M29F002BNT: B0h – Bottom Device Code M29F002BB: 34h – Bottom Device Code M29F002BNB: 34h

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M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。

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M27C801是一款8 Mbit UV EPROM和OTP EPROM，供电电压为5V ± 10%，读取操作时的访问时间为45ns。它具有低功耗、编程电压为12.75V ± 0.25V、编程时间为50µs/word等特点。

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M27C4001是一款4Mbit EPROM，提供UV（紫外线擦除）和OTP（一次可编程）两种范围，非常适合需要大程序的微处理器系统。

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LM224W是一款高增益、低电流、内部频率补偿的运算放大器。它工作于单电源供电，工作电压范围广。LM224W还可以使用分立电源供电，并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。LM224W的所有引脚都具有高达2000V的静电放电保护。

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LDRxxyy是一种非常低的压降双电压稳压器，适用于低噪声和低功耗应用，如PDA、MICRODRIVE和其他数据存储应用以及监视器和机顶盒等消费类应用。它具有非常低的压降电压、非常低的供电电流和逻辑控制的电子关断功能。

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L4974A是一款3.5A开关型稳压器，具有5.1V至40V的输出电压范围，0至90%的占空比范围，内部前馈线路调节，内部电流限制，精确的5.1V ± 2%芯片上参考电压，复位和电源故障功能，输入/输出同步引脚，欠压锁定和滞后开启，单脉冲每周期的PWM锁存器，非常高的效率，高达200KHz的开关频率，热关断，连续模式操作。

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HCF4009UB是一种单片集成电路，采用MOS技术制造，可用于CMOS到TTL或DTL逻辑电平转换，也可作为电流“沉”或“源”驱动器，或作为多路复用器（1到6）。它是HCF4049UB在缓冲应用中的首选替代品。

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GS-R24P系列是一款高效的降压开关电压调节器，设计用于取代线性调节器。它具有1,000,000小时的平均故障间隔时间（在Tamb=25°C下），最大输出电流为1.5A，最大输入电压为35V，最大压降为1.5V，具有远程逻辑禁止/使能功能，非锁定过载和短路保护，热关断功能，固定或可调输出，不需要散热器。

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该文档介绍了一个仍在生产中但不推荐新设计的产品，名为QST108电容触摸传感器设备，具有8个按键和独立按键状态输出或I2C接口。该产品具有多项特点和特性，包括专利的电荷转移设计、支持最多8个独立的QTouch™按键、独立按键状态输出或I2C接口、完全“去抖动”的结果、专利的AKS™相邻键抑制、自校准和自动漂移补偿、扩频脉冲以减少电磁干扰、最多5个通用输出等。该产品适用于人机界面和前面板等广泛应用领域，如PC外设、家庭娱乐系统、游戏设备、照明和家电控制、遥控器等。使用QST设备可以替代机械开关/控制设备，减少维修和制造成本，提高产品寿命。

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本文件是M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories的特性摘要

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M54/74HCT373 和 M54/74HCT533 是高速度 CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS，采用硅门 C2MOS 技术制造。这些 IC 在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速度操作。这些 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 LE 输入保持高电平时，Q 输出将精确或反向跟随数据输入。当 LE 被拉低时，Q 输出将精确或反向地锁定在 D 输入数据的逻辑电平。当 OE 输入处于低电平时，八个输出将处于正常逻辑状态 (高或低逻辑电平)，并且当高电平时，输出将处于高阻态。应用设计人员可以选择组合非反相和反相。

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