ST说明书大全

ST ST72E311 ST72T311 8-BIT MCU WITH 8 TO 16K OTP/EPROM, 384 TO 512 BYTES RAM, ADC, WDG, SCI, SPI AND 2 TIMERS数据手册

ST72E311 ST72T311 8-bit MCU with 8 to 16K OTP/EPROM, 384 to 512 bytes RAM, ADC, WDG, SCI, SPI and 2 timers datasheet.

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ST PFR 850S-856S 数据手册

PFR 850S → 856S是一种快速恢复整流器二极管,具有低正向电压降和高浪涌电流能力。适用于交流-直流电源和转换器、自由轮二极管等应用。这些快速恢复整流器二极管具有高效率、高可靠性、体积小和低成本等优点,非常适用于许多苛刻的应用。

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ST VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1 说明书

VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1是一种全自动保护功率MOSFET,具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹紧器、低输入引脚电流、通过输入引脚进行诊断反馈、ESD保护和直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动)等特性。它们适用于直流到50kHz的应用。

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ST M45PE10 说明书

M45PE10是一款1Mbit、低电压、页擦除的串行闪存存储器,带有字节可变性和33 MHz SPI总线接口。

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ST STV9553 数据手册

STV9553是一款120V高压视频放大器,支持DC耦合模式,可驱动CRT显示器的三个阴极。该产品具有20的典型电压增益,12ns的上升和下降时间,29MHz的带宽,非常低的待机功耗,与STV921x ST预放大器完美匹配,可提供高性能、高性价比的视频系统。

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ST STP6NC60, STP6NC60FP, STB6NC60-1 数据手册

该文件介绍了STP6NC60和STP6NC60FP MOSFET的特点和特性,包括600V的电压、1.0Ω的RDS(on)、6A的电流、高dv/dt能力和100%的avalanche测试等。

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ST STLC2150 数据手册

STLC2150 是 ST 公司生产的一款蓝牙单片机,集成度高,支持 Power Class 2 和 3 操作,可用于电脑外围设备、调制解调器、相机、便携式计算机、 PDA、手持数据传输设备、手机等设备。

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ST STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR 数据手册

STW7NA80和STH7NA80FI是N通道增强型快速功率MOS晶体管,具有低内在电容、最小化的门电荷和降低的阈值电压扩散。适用于高电流、高速开关、开关模式电源(SMPS)、电弧焊设备和不间断电源以及电机驱动。

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ST M29W400T M29W400B Data Sheet

M29W400是一种非易失性存储器,可以通过块或芯片级别进行电擦除,使用单一2.7V至3.6V VCC供电,在系统中以字节或字为单位进行逐字节或逐字编程。它具有快速访问时间、快速编程时间、多种擦除和保护模式、低功耗等特点。

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ST M29F010B 说明书

M29F010B 1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory is a single-supply flash memory chip with 8 uniform 16 Kbytes memory blocks. It supports byte program, multi-block/chip erase and status register polling and toggle bits. It also supports erase suspend and resume modes, unlock bypass program command, low power consumption and 20 years data retention.

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ST M29F040B 说明书

M29F040B是英飞凌生产的4Mbit(512Kb x8, Uniform Block)单电源闪存器。

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ST M28W640ECT M28W640ECB 说明书

该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品的初步信息。该产品为M28W640ECT和M28W640ECB型号的64 Mbit 3V供电闪存存储器,具有供电电压范围广、存取时间快、编程时间短、具备安全性等特点。

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ST M28F101 说明书

M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是东芝公司的一款非易失性存储器,具有5V ±10% 电源电压、12V 编程电压、70ns 快速访问时间、10µs 典型字节编程时间、1s 范围的低功耗,以及 10,000 次擦除/编程周期等特点。

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ST M27W512 Data Sheet

M27W512是512Kbit (64K x8)低电压UV EPROM和OTP EPROM。产品特点包括2.7到3.6V的供电电压、70ns到80ns的访问时间、15µA到15mA的电流消耗、100µs/byte的编程时间、2000V的ESD保护和200mA的Latchup保护免疫性。产品提供28脚DIP、28脚PDIP、32脚PLCC和28脚TSOP等多种封装。

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ST L4941 数据手册

L4941是一个三引脚5V正向稳压器,具有低的压降和静态电流,适用于工业和消费类应用。

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ST L4931 series 说明书

L4931系列是一款低压差稳压器,具有非常低的压差(0.4V)和非常低的静态电流(典型值为50µA),非常适合低噪声、低功耗应用,尤其是在电池供电系统中。

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ST HCF4098B 数据手册

HCF4098B是一款由金属氧化物半导体技术制造的单片集成电路,可在DIP和SOP封装中使用。HCF4098B双精度单稳态多谐振器可为任何固定电压定时应用提供稳定的可重复触发/复位单次操作。外部电阻器(RX)和外部电容器(CX)控制电路的时序。调整RX和CX可以提供来自Q和Q端子的宽范围输出脉宽。从触发输入到输出转换(触发传播延迟)的时间延迟和从复位输入到输出转换(复位传播延迟)的时间延迟与RX和CX无关。提供前沿触发(+TR)和后沿触发(-TR)输入,用于从输入脉冲的任一边缘触发。未使用的+TR输入应连接到VSS。未使用的-TR输入应连接到GND。

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ST PSD935G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers PRELIMINARY DATA

PSD935G2 是一个可配置的存储系统芯片,用于 8 位微控制器。它具有 5 V±10% 的单电源电压、4 Mbit 的主存储器、256Kbit 的辅助存储器、64 Kbit 的 SRAM、3,000 多个门的 PLD、52 个可重构 I/O 端口、增强的 JTAG 串行端口、可编程电源管理以及高耐久性。

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ST PSD913D2/PSD934F2/PSD954F2 数据手册

该文件介绍了一种新产品的初步信息,该产品是一种用于8位MCU的Flash In-System可编程(ISP)外设。它具有单供电电压、主闪存和次闪存、SRAM、PLD、可重构的I/O端口、增强型JTAG串行端口、可编程的电源管理等特点。

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