ST说明书大全

ST VND7N04/VND7N04-1/VNP7N04FI/K7N04FM 数据手册

VND7N04/VND7N04-1 VNP7N04FI/K7N04FM是STMicroeletronics VIPower M0 Technology制造的一体式器件,用于替代标准功率MOSFET

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ST TSH60,61,62,63,64 数据手册

TSH6x系列是一款高性能视频运算放大器,可单独使用或串联使用。它们具有高增益带宽乘积、低失真度和高输出电流,可在标准150欧姆负载上提供卓越的视频质量。

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ST TL082 TL082A - TL082B 数据手册

tl082是高速j–fet输入双运算放大器,具有高输入阻抗、高开环增益、低输入偏置电流、低输入失调电压和高短路电流保护等特点。

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ST BAR 42 BAR 43, A, C, S SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES 数据手册

BAR 42 BAR 43是Nexperia公司的肖特基二极管,额定反向峰值电压为30V,最大连续正向电流为100mA,最大浪涌非重复正向电流为750mA,最大工作温度为150℃。

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ST M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 数据手册

M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® Serial Access EEPROM

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ST M74HC05 HEX INVERTER (OPEN DRAIN) 数据手册

M74HC05是74HC系列的HEX INVERTER (OPEN DRAIN),工作电压范围是2V到6V,静态电流为1µA,最大工作温度为85°C,最大工作功率为300mW。

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ST M59DR032A M59DR032B 32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory 数据手册

该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片,具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。

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ST M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories 数据手册

M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点,主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。

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ST M48T58 M48T58Y5.0V, 64Kbit(8Kbx8) TIMEKEEPER SRAM 数据手册

M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟,电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR,MONTH,DAY,DATE,HOURS,MINUTES和SECONDS;频率测试输出用于实时时钟;自动电源故障芯片失选和写保护;写保护电压(VPFD=电源故障失选电压):- M48T58:VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y:VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装,包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP(需单独订购)。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接,并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。

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ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM,内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池,具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能,写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V,4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V,内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装,SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳,包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的,与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。

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ST M41T80 SERIAL ACCESS RTC WITH ALARMS 数据手册

M41T80是一款具有闹钟功能的串行访问RTC芯片,工作电压为2.0-5.5V,具有分/百分秒、秒、分、时、日、日期、月份、年份和世纪计数器,支持I2C总线(400KHz),具有可编程闹钟和中断功能,工作电流为200µA,工作温度为-40至85°C。

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ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名

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ST M29F200T M29F200B 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F200T and M29F200B are 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory. It features fast access time, fast programming time and low power consumption.

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ST M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM 和 OTP EPROM 的特点总结

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ST M27C4002 4 Mbit (256Kb x16) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C4002是4Mbit的EPROM,提供UV和OTP两种擦除方式。它非常适合需要大程序的微处理器系统,并且组织为262,144个16位字。

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ST M27C4001 4 Mbit (512Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C4001是4MbitEPROM,供电电压为5V±10%,读取时延为35ns,低功耗,活动电流30mA,待机电流100µA,编程电压为12.75V±0.25V,编程时间为100µs/word。

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ST M24C64 M24C32 数据手册

M24C64和M24C32是64Kbit和32Kbit的串行I²C总线EEPROM,具有两线I2C串行接口,支持400kHz协议,单电源电压为4.5至5.5V,具有写控制输入、字节和页写(最多32字节)、随机和顺序读模式、自定时编程周期、自动地址递增、增强的ESD/锁存保护、超过100万次擦除/写入周期、超过40年的存储数据保持期。

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ST M082/A-M083/A-M086/A DATA SHEET

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ST L7800AB/AC SERIES PRECISION 1A REGULATORS 数据手册

L7800AB/AC系列1A精密稳压器具有5、6、8、9、12、15、18、20、24V的输出电压,输出电流大于1A,具有过热保护、输出过渡SOA保护、2%输出电压容差等特点,保证在扩展温度范围内正常工作。

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ST L6206DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L6206是一种DMOS双全桥,适用于电机控制应用。它采用多功率-BCD技术,将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极器件集成在同一芯片上。具有热关断和非耗散式高侧功率MOSFET的过流检测以及可用于实现过流保护的诊断输出。

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