ST说明书大全

ST L6571A/L6571B 数据手册

L6571A和L6571B是意法半导体推出的高压半桥驱动器,内置振荡器,可使用外部电阻和电容对振荡器频率进行编程。内部电路还允许通过外部逻辑信号驱动该器件。输出驱动器专为驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT而设计。内部逻辑保证了死区时间,以避免功率器件的交叉导通。两种版本可供选择:L6571A和L6571B。它们在内部死区方面有所不同:1.25µs和0.72µs(典型)。

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ST M54 HC2 7 9 M7 4HC2 7 9 March 1993 QUAD S - R LATCH 说明书

M54/74HC279是CMOS工艺制造的高速四路S-R锁存器,具有LSTTL的高速度性能和CMOS的低功耗特性。

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ST ST70134 - ST70135A ASCOT ADSL MODEM CHIP SET FOR CPE 数据手册

ST70134 - ST70135A ASCOT ADSL MODEM CHIP SET FOR CPE是STMicroelectronics公司生产的一款ADSL调制解调器芯片组,支持ANSI T1.413 ISSUE 1 & ISSUE 2、G.992.1 (FULL RATE) & G.992.2 (G. LITE)等协议,数据速率最高可达8Mbps,支持255/128个载波,具有低功耗技术,单供电电压为3.3V,工作温度范围为0至+70°C。

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ST ST92195C/D 数据手册

ST92195C/D是STMicroelectronics公司生产的一款48-96Kbyte ROM的HCMOS MCU,具有ON-SCREEN DISPLAY和TELETEXT DATA SLICER功能。该芯片采用8/16位寄存器文件架构,支持RUN、WFI、SLOW和HALT模式,工作温度范围为0°C至+70°C,最大工作频率为24MHz,最小指令周期时间为165ns。ST92195C/D具有48、56、64、84或96Kbyte的ROM,256字节的寄存器文件RAM(累加器或索引寄存器),256至512字节的片上静态RAM,2或8Kbytes的TDSRAM(Teletext和Display Storage RAM),28个完全可编程的I/O引脚,串行外设接口和灵活的时钟控制器。

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ST BFX73-2N918 2N3600 DATA SHEET

该文件内容为查询2N918供应商的信息,涉及到产品的版权信息。

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ST Z01 Data Sheet

Z01系列适用于一般性交流开关应用,可以在家电(电磁阀、泵、门锁、小灯控制)、风扇调速器等应用中找到。可提供不同的门极电流敏感性,可在直接由微控制器控制时实现优化性能。

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ST TL431 PROGRAMMABLE VOLTAGE REFERENCE 数据手册

TL431是可编程的稳压器,输出电压范围为2.5V至36V,输出电流范围为1至100mA,动态阻抗为0.22欧姆。

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ST ST72E311/ST72T311 数据手册

该文档介绍了ST72E311和ST72T311型号的8位MCU,具有8至16K字节的OTP/EPROM用户程序存储器和384至512字节的数据RAM。它还提供了多个功能的双向I/O线路、复位选项、运行和省电模式、定时器、串行接口、ADC等功能。

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ST ST16-19RFRDCS010 CONTACTLESS READER CHIP SET 数据手册

该文件介绍了STMicroelectronics的一款联系式智能卡阅读器芯片组的特点和特性。

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ST M29F002BT, M29F002BNT M29F002BB, M29F002BNB 数据手册

M29F002BT, M29F002BNT 2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory 提供单一 5V ± 10% 电源电压进行程序、擦除和读取操作,具有 45 纳秒的访问时间,8 微秒的字节编程时间,以及 7 个存储块。包括 1 个引导块 (顶部或底部位置)、2 个参数块和 4 个主块。该存储器具有嵌入式字节编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停模式、解锁旁路编程命令、快速生产/批量编程、临时块取消保护模式、低功耗 (待机和自动待机)、100,000 次编程/擦除循环/块和 20 年的存储保留 (缺陷率低于 1 ppm/年)。电子签名包括制造商代码 (20h)、顶部设备代码 M29F002BT (B0h)、顶部设备代码 M29F002BNT (B0h)、底部设备代码 M29F002BB (34h) 和底部设备代码 M29F002BNB (34h)。

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ST NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 数据手册

该文件介绍了一系列高密度NAND闪存产品的特点和特性,包括存储容量、供电电压、页面大小、块大小、读写速度等。

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ST BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B 数据手册

BZW06-5V8/376是TRANSILTM,具有600W的峰值脉冲功率和5.8V到376V的防浪涌电压范围。它具有双向和单向类型,低钳位系数和快速响应时间。

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ST M54HC7245/7640/7643/7645, M74HC7245/7640/7643/7645 数据手册

该文件介绍了 M54HC7245/7640/7643/7645 和 M74HC7245/7640/7643/7645 这些型号的特点和特性。它们是高速、低功耗、具有高噪声免疫性的八位总线收发器。这些器件适用于数据总线之间的双向异步通信,并且数据传输的方向由 DIR 输入确定。HC7245/640/7643/7645 与 HC245/640/643 具有相同的引脚配置和功能,同时具有每个输入的滞后特性,因此可以用作线路接收器等。

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ST M28F201 使用说明书

M28F201 2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是可编程的存储器,可以通过芯片电路在 1 秒内擦除,并以字节为单位编程。它具有 70ns 的快速存取时间,适用于高速度微处理器系统。

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ST LF00 SERIES Data Sheet

LF00系列是低压降调节器,具有0.45V的低压降和50µA的静态电流,非常适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。该系列有PENTAWATT、TO-220、TO-220FP、DPAK和PPAK封装,可提供多种输出电压。

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ST L7900AC SERIES Data Sheet

L7900AC系列是一种三端负压稳压器,具有输出电流高达1.5A,输出电压可选为-5、-5.2、-6、-8、-12、-15、-18、-20、-22、-24V。该系列稳压器具有热过载保护、短路保护和输出过渡SOA保护等特点,适用于本地板上调节和分离电源。

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ST NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories数据手册

NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories是高密度NAND闪存存储器,具有高达1 Gbit的存储阵列,高达32 Mbit的备用区,是成本效益高的大容量存储应用解决方案。

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ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM 数据手册

该数据手册详细介绍了 M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit 和 1Kbit 的 Serial I²C Bus EEPROM 产品的特性。

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ST L293B L293E PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVERS 数据手册

L293B和L293E是四通道推挽驱动器,能够输出1A的电流。每通道由一个TTL兼容的逻辑输入控制,每对驱动器(一个全桥)配备一个使能输入,使能输入可以关闭四个晶体管。逻辑部分有一个独立的供电输入,以便能够使用较低的电压运行,从而降低功耗。另外,L293E具有外部感应电阻连接,用于开关模式控制。L293B和L293E分别采用16和20针的塑料DIP封装,并且都使用四个中心引脚将热量传导到印刷电路板。

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ST L293D L293DD PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVER WITH DIODES 数据手册

L293D是一种四通道推挽驱动器,具有600mA输出电流和1.2A峰值输出电流的能力。它具有使能功能、过温保护、高噪声免疫等特点。该驱动器适用于驱动电感负载和开关功率晶体管,适用于频率高达5kHz的开关应用。

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