Fairchild说明书大全

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP025N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V电压、265A电流、2.5mΩ电阻等。

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该文档是关于FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的使用手册，介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on) = 98mΩ at VGS = 4.5V, ID = 1.6A、RDS(on) = 82mΩ at VGS = 10V, ID = 1.7A、Typ Qg(TOT) = 9.2nC at VGS = 10V、Low Miller Charge、Qualified to AEC Q101等

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该文档介绍了FDN5630型号的N-通道MOSFET，该MOSFET具有低RDS(ON)，适用于高频率的DC/DC转换器，具有较快的开关速度和较高的整体效率。

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该文件介绍了FDN5630型号的N通道MOSFET的技术特性，包括低RDS(ON)、优化高频率DC/DC转换器使用、低门电荷和快速开关等特点。该产品适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。

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该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。

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FND5618P是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，该器件具有极低的RDS(ON)，快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等应用。

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FDN372S是美国Fairchild公司生产的一款30V N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。

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FDN372S是一款30V N-沟道PowerTrench同步MOSFET，可替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管，具有低Rds(on)和低栅极电荷，能够提高功率转换效率。

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该文件介绍了一款20V N-通道功率MOSFET，使用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，优化用于功率管理应用。其特点包括2.5A，20V的漏极-源极电阻为50mΩ，低栅电荷，快速开关速度以及极低的漏极-源极电阻。

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FDN371N是Fairchild公司生产的20V N通道MOSFET器件，采用Fairchild公司高压PowerTrench工艺，应用于负载开关、电池保护、电源管理等场合。

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该文档介绍了FDN361BN型号的30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，适用于低压应用领域，具有快速开关和低功耗的特点。

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FDN361BN是Fairchild Semiconductor推出的一款低压应用的N沟道逻辑级功率MOSFET，其最大电压为30V，额定电流为1.8A。该器件具有低RDS(ON)、低门极电荷、小封装等特点，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡等低压应用场合。

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FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。

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FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。

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FDN360P是Fairchild Semiconductor生产的一款P通道逻辑级MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要低直流损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，其最大额定电压为30V，最大额定电流为2.7A。

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FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET，是一种采用 Fairchild 先进 PowerTrench 工艺生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，它特别定制以最小化开关状态电阻并保持卓越的开关性能。该器件非常适合低压和电池供电应用，在这些应用中，需要低线损和快速开关。

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FDN359AN 是Fairchild Semiconductor 生产的一款N沟道逻辑级 MOSFET，使用了该公司的先进 PowerTrench 工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件非常适合低电压和电池供电应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。

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FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET。它具有低导通电阻和快的开关速度。适用于低压和电池供电的应用，在这些应用中需要低的线路损耗和快速的开关速度。

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该文档介绍了March 1998 FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性，包括最大额定值、工作温度范围、热阻等信息。

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