Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FQT2P25 数据手册(1)
FQT2P25是一款250V的P-Channel MOSFET，采用了Fairchild公司的专有DMOS技术。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，非常适用于高效率开关式DC/DC转换器。
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FAIRCHILD FQT2P25 数据手册(1)(1)
FQT2P25是一款250V P-Channel MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换流能力。适用于高效率开关DC/DC变换器。
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FAIRCHILD FQT13N06L 数据手册
FQT13N06L是飞兆半导体的60V LOGIC N-Channel MOSFET，具有低压降、低栅极电荷、低跨导、快速开关和改进的dv/dt能力等特点。
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FAIRCHILD FQT13N06 说明书
这是一篇关于FQT13N06 60V N-Channel MOSFET的文档，介绍了该产品的特点和特性，包括低电压应用、低电阻、高效能等。
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FAIRCHILD FQS4900说明书
这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQS4900 QFET系列N和P沟道增强型功率场效应晶体管。该系列产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、优良的开关性能和能够承受高能脉冲的能力。适用于电话机等高接口应用。
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FAIRCHILD FQS4900 说明书
FQS4900是Fairchild生产的一种双N和P通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术。这种先进的技术专门针对最小化开关状态电阻，提供卓越的开关性能，并承受雪崩和换流模式的高能脉冲。该器件非常适合电话机中的高接口。
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FAIRCHILD FQS4410 Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET 说明书
该文件是FQS4410的技术资料，介绍了该产品的特点特性。
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FAIRCHILD FQS4410 Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET 说明书
该文件是关于Fairchild Semiconductor International公司的FQS4410 QFET产品的介绍。该产品是一种单通道的N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如DC/DC转换器和便携式电池操作产品。
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FAIRCHILD FQPF9P25 250V P-Channel MOSFET 说明书(1)
FQPF9P25是一种250V P通道MOSFET。它具有低门控电荷（典型为29 nC）、低Crss（典型为27 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
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FAIRCHILD FQP9N90C/FQPF9N90C 900V N-Channel MOSFET 说明书
这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FQP9N90C/FQPF9N90C QFET TM 900V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、高效率开关性能、高能量脉冲耐受性等。该产品特别适用于高效率开关电源。
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FAIRCHILD FQPF9N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书(1)
FQPF9N50CF是一款500V N-Channel MOSFET，特点包括9A电流、0.85Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关、100%阻断电流测试等。
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FAIRCHILD FQPF9N50CF 500V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1)
该数据表格提供了FQPF9N50CF产品的详细信息，包括产品型号、封装、引脚、最大电压、电流、功率、温度等参数。
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FAIRCHILD FQP9N50C/FQPF9N50C 500V N-Channel MOSFET 说明书
FQP9N50C/FQPF9N50C QFET 500V N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，该技术经过精心设计，可最大限度地降低开关电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
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FAIRCHILD FQPF9N50 数据手册
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