Fairchild说明书大全
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书
该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
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FAIRCHILD FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书
FDN357N是Fairchild生产的一种N沟道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，它采用业界标准的SOT-23封装，具有优异的热电特性和高密度单元设计，可提供极低的RDS(ON)。
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FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2)
本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
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FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)
FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
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FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书
本文件为FDN352AP数据手册，介绍了FDN352AP的特点、特性、应用等信息
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FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1)
FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。
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FAIRCHILD FDN342P 说明书(1)
该数据表格提供了FDN342P的规格信息，包括：产品型号、封装类型、引脚排列、最大工作电压、最大工作电流、最大工作功率、工作温度范围、封装尺寸等。
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FAIRCHILD FDN342P 说明书 (1)
FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。
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FAIRCHILD FDN340P 说明书
FDN340P 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 P 通道逻辑级 MOSFET，它采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 Power Trench 工艺，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低开态电阻，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载切换和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
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FAIRCHILD FDN340P 说明书
FND340P是Fairchild Semiconductor公司生产的单P通道，逻辑级，PowerTrench MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)，低栅极电荷，适用于便携式电子设备的开关和电源管理，电池充电电路和DC/DC转换等应用。
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FAIRCHILD FDN340P SingleP-Channel, LogicLevel, PowerTrench MOSFET 说明书
这份文件介绍了一款P-Channel逻辑电平MOSFET的特点和特性。该MOSFET采用了先进的Power Trench工艺，具有低导通电阻和低门极电荷，以实现卓越的开关性能。该器件适用于便携式电子设备应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
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FAIRCHILD FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 说明书
FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 生产的具有高性能 trench 技术的 N 沟道 MOSFET，其 on-state 电阻和 gate 电荷都非常低，非常适用于 DC/DC 转换器和负载开关等应用。
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FAIRCHILD FDN340P 数据手册
该文档介绍了一种单通道P型逻辑电平功率Trench MOSFET产品，采用Fairchild Semiconductor的先进工艺生产，具有低导通电阻、低门电荷和优异的开关性能等特点。适用于便携式电子设备应用，如负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
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FAIRCHILD FQPF19N10 说明书
这份文件介绍了一款名为FQPF19N10的N沟道MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
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FAIRCHILD FQPF19N10L 说明书(1)
FQPF19N10L是一款100V LOGIC N-Channel MOSFET，具有13.6A、100V、RDS(on) = 0.1Ω @VGS = 10 V等特点。
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FAIRCHILD FQPF19N10L 说明书(1)(1)
FQPF19N10L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为100V，典型导通电阻为0.1欧姆，可用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用。
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FAIRCHILD FQPF20N06 60V N-Channel MOSFET 说明书
这份文件介绍了FQPF20N06，这是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术制造。它具有低导通电阻、优越的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。该器件适用于汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品中的低电压应用。
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FAIRCHILD FQPF1P50 数据手册
FQPF1P50是Fairchild生产的一种500V P通道MOSFET，具有低导通电阻、快速开关、低门极电荷和高浪涌电流等特点。
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