三星说明书大全
SAMSUNG K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 数据手册
K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM is a 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.
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SAMSUNG K4S640832K 数据手册
K4S640832K是三星生产的一款64Mb同步动态随机存储器(DRAM)。该芯片采用K-die封装，支持x1、x4、x8和x16时钟倍频率。
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SAMSUNG K4S640832K 数据手册
本文件是关于K4S640832K Synchronous DRAM Rev. 1.1 February 2006 的技术规格说明书，包含了该产品的各种参数信息。
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SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)
该文件介绍了三星电子的SDRAM 64Mb H-die产品规格，包括不同接口和封装的型号，以及其高性能CMOS技术和同步设计的特点。
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SAMSUNG SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) 数据手册(1)(1)
K4S640432H / K4S640832H / K4S641632H是Samsung Electronics生产的64Mb H-die CMOS SDRAM芯片。
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SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)
这是一个Multi-Chip Package MEMORY 64M Bit (4Mx16) Four Bank NOR Flash Memory / 32M Bit (2Mx16) UtRAM的技术手册，详细介绍了该产品的特点特性。
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SAMSUNG K5T6432YT(B)M 数据手册(1)(1)
K5T6432YT(B)M是三星电子推出的一款64M位四通道NOR闪存和32M位UtRAM的多芯片封装内存。
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三星 K5P2880YCM - T085 数据手册(1)
该文档介绍了鼎好公司的K5P2880YCM - T085型号的多芯片封装存储器产品。该产品包含128M位（16Mx8）Nand闪存和8M位（1Mx8/512Kx16）全CMOS SRAM。闪存具有高速的编程和擦除性能，而SRAM则具有高容量和低功耗的特点。
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三星 K5P2880YCM - T085 数据手册
K5P2880YCM是三星公司生产的一款集成128Mbit Nand Flash和8Mbit full CMOS SRAM的Multi ChipPackage Memory，单电源供电3.0V，支持528-byte page program，16K-byte block erase，读取速率50ns。
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三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1)
K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ，工作电压为 1.7V 到 1.95V ，工作温度为 -30°C ~ 85°C 。
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三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)
K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
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三星 K4S643232C 数据手册
该文档介绍了K4S643232C CMOS SDRAM产品的特性和特点，包括其存储容量、工作电压、操作频率范围、延迟时间可编程等。
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SAMSUNG K4S561633F - X(Z)E/N/G/C/L/F
K4S561633F是一种268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织为4 x 4,196,304字16位，采用三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制，并且I/O事务可以在每个时钟周期上进行。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一器件在各种高带宽、高性能存储系统应用中发挥作用。
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SAMSUNG K4S64323LF-S(D)N/U/P 数据手册
K4S64323LF-S(D)N/U/P是三星公司生产的一款手机SDRAM内存，采用2.5V电源，采用四个银行设计，支持多种时序配置，可以广泛应用于高带宽和高性能存储系统应用。
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SAMSUNG K4S64323LF-S(D)G/S 数据手册
K4S64323LF-S(D)G/S 是由三星生产的2Mx32位同步高数据速率动态随机存储器，工作电压为2.5V，采用90脚FBGA封装。该器件具有多种可编程功能，包括CAS延迟、突发长度、突发类型等，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
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SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)
K4S643233H是由三星公司生产的一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），可在-25°C至85°C的温度范围内工作。该器件具有多种可编程的特性，如操作频率、突发长度和延迟，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
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SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)(1)
K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器，其存储容量为67,108,864位，组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits，采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电，可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
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SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)
K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
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SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1)
K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
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