三星说明书大全
Samsung K9F2808Q0B-DCB0,DIB0 Data Sheet
该文档介绍了三星电子的16M x 8位NAND闪存存储器的规格和特性。文档详细描述了K9F2808U0B和K9F2808Q0B系列产品的技术参数，包括工作电流、编程和擦除时间等。同时提供了产品的修订历史。
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SAMSUNG ELCTRONICS 1Gb 1.8V NAND Flash Errata
这份文件是关于SAMSUNG 11Gb 1.8V NAND Flash Errata的说明书，该文件提供了产品的功能特点、规格参数等信息。
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Samsung K9F1G08R0A Data Sheet
This document is the datasheet of K9F1G08U0A K9F1G08R0A K9K2G08U1A NAND Flash Memory. It provides the features and characteristics of the products.
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Samsung K9F1G08U0A K9F1G08R0A K9K2G08U1A Data Sheet
该文档介绍了三款闪存产品的规格和特性，包括K9F1G08U0A、K9F1G08R0A和K9K2G08U1A。文档提供了产品的修订历史，包括技术笔记和AC时序特性的说明。
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Samsung K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F Data Sheet
K4S283233F is a 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits, fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol- ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock and I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth and high per- formance memory system applications.
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Samsung 8Mx16 SDRAM 54CSP Data Sheet(1)
K4S281633D-RL(N) Rev. 0.6是2001年11月发布的CMOS SDRAM，带有8Mx16、54CSP、VDD/VDDQ 3.0V/3.0V & 3.3V/3.3V等特性
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Samsung 8Mx16 SDRAM 54CSP Data Sheet
K4S281633D-RL(N) Rev. 0.6 Nov. 2001 CMOS SDRAM Preliminary 8Mx16 Revision 0.6 November 2001 SDRAM 54CSP (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V & 3.3V/3.3V)
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Samsung 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Data Sheet(1)(1)
K4S281632M是三星公司生产的一款2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，它具有JEDEC标准3.3V电源供应、LVTTL兼容和四个存储器操作功能。
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Samsung 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Data Sheet(1)
K4S281632M是134,217,728位同步高数据速率动态随机存储器，以4 x 2,097,152字节x 16位组织，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许相同设备在各种高带宽、高性能内存系统应用中发挥作用。
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Samsung S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9 (Preliminary Spec) Data Sheet(1)(1)
S3C72M5/C72M7/C72M9 是三星最新推出的单片 CMOS 微控制器，采用了 SAM47（Samsung Arrangeable Microcontrollers）最新的 4 位 CPU 核心，具有高性能和低功耗的特点。S3C72M5/C72M7/C72M9 具有 80 SEG × 16 COM、88 SEG × 8 COM 的液晶显示器控制器/驱动器，以及 3,584 × 4 位 RAM、16,384/24,576/32,768 × 8 位 ROM、51 个 I/O 引脚和 9 个向量中断。
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Samsung S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9 (Preliminary Spec) Data Sheet(1)
S3C72M5/C72M7/C72M9/P72M9是韩国三星公司推出的单片CMOS微控制器，采用最新的SAM47(Samsung Arrangeable Microcontrollers) CPU内核，具有高性能、高集成度的特点。该系列产品带有1280点LCD直接驱动能力、段扩展电路、8位和16位定时器/计数器、串行I/O等功能，适用于各种需要LCD功能的应用场合。
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Samsung K4S280832B Data Sheet (1)(1)
K4S280832B是韩国三星生产的一款CMOS SDRAM，该数据手册介绍了该产品的引脚定义、功能说明、工作原理等信息。
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SAMSUNG K4S280832A 数据手册
K4S280832A是一种128Mbit同步高数据速率动态随机存取存储器(SDRAM)，以4 x 4,194,304字节x 8位组织，由三星的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期上发生。操作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一个器件用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
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SAMSUNG K4S280832A 数据手册
K4S280832A是三星128Mbit SDRAM，采用4 x 4,194,304 words by 8 bits的组织方式，采用SAMSUNG高性能CMOS技术制造。该器件支持多种操作频率、可编程突发长度和可编程时序，可用于多种高带宽、高性能存储系统应用。
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SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1)(1)
K4S280432M是SAMSUNG生产的一款8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM，采用LVTTL电源，工作频率范围为66MHz-125MHz，支持1-8页突发长度和2-3个CAS延迟。
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SAMSUNG K4S280432M 数据手册(1)
K4S280432M CMOS SDRAM 是128Mbit SDRAM，组织为4 x 8,388,608 words by 4 bits，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术。
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