三星说明书大全

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KB2147是一个单片集成电路，用于控制多模式或多同步显示器中与水平和垂直偏转相关的所有功能。它具有自适应频率范围、X射线保护输入、可调节Duty-cycle、宽范围的水平位置控制等特点。

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200pin DDR SDRAM SODIMM M470L1714BT0是三星生产的16Mbit x 64 Double Data Rate SDRAM高密度内存模块，基于128Mb DDR SDRAM第一代。

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该文档是关于SAMSUNG电子公司生产的128Kx8位高速CMOS静态RAM的规格说明书。这种RAM适用于商业和工业温度范围。它具有快速访问时间、低功耗、单一5.0V±10%电源供应、TTL兼容的输入和输出等特点。

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该文件介绍了512Mb C-die DDR2 SDRAM产品的关键特性，包括速度、电压、封装引脚以及寻址方式等。

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K4M51323LE是一种同步高数据率动态RAM，具有4个银行操作、CAS延迟、突发长度、突发类型等特性。

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KMM5364005CSW/CSWG 4Byte 4Mx36 SIMM是Samsung公司生产的4Mx36bits Dynamic RAM高密度内存模块，由两颗CMOS 4Mx16bits和一颗CMOS Quad CAS 4Mx4bits DRAMs组成，使用TSOP封装，安装于72-pin玻璃环氧基板上，每个DRAM都安装有0.1或0.22uF的去耦电容，KMM5364005C是带有边缘连接的单线内存模块，用于安装到72针边缘连接器插槽中。

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KMM5364003BSW/BSWG是三星生产的4Mx36bits动态随机存储器(DRAM)高密度存储模块，该模块由两个CMOS 4Mx16位和一个CMOS Quad CAS 4Mx4位DRAMs在TSOP包装中组成，安装在一个72针玻璃环氧基板上。每个DRAM上都安装了一个0.1或0.22uF去耦电容器。KMM5364003B是带有边缘连接的单个内存模块，用于安装在72针边缘连接器插座中。

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该文件介绍了三星KMM53216000B高密度内存模块的特点和特性，包括16Mx32位动态RAM、快页模式操作、CAS-before-RAS和隐藏刷新功能等。

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这是一份关于KM681002A和KM681002AI CMOS SRAM的初步版本数据表。该产品是128Kx8高速静态RAM，工作电压为5V，具有革命性的引脚布局，可在商业和工业温度范围内运行。

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S3C7524/C7528/P7528/C7534/C7538/P7538是三星高性能的单片CMOS微控制器，基于SAM 47（Samsung Arrangeable Microcontrollers）构建。该产品的特点包括低功耗、低工作电压，ROM大小可选4K或8K字节。

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M464S3254DTS是三星公司生产的一种32M位x64同步动态随机存储器高密度存储模块。它由八个CMOS 16M x 16位带4个银行的同步DRAM组成，采用TSOP-II 400mil封装，并在一个144引脚玻璃环氧基板上安装了2K EEPROM在8引脚TSSOP封装中。为每个SDRAM并联安装了三个0.1uF去耦电容。M464S3254DTS是一种小型双列直插式存储模块，旨在安装到144引脚边缘连接器插座中。同步设计允许使用系统时钟进行精确的循环控制。I/O事务可以在每个时钟周期中进行。操作频率范围、可编程延迟允许同一设备用于各种高带宽、高性能存储系统应用。

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S1T8825B是一款高性能的双频率合成器，具有两个集成的高频率预分频器，可在1.3 GHz的射频操作下工作。S1T8825B由模数预分频器、无死区PFD、可选择的电荷泵电流、可选择的断电模式电路、锁定检测器输出和环路滤波器的时间常数切换组成。它采用ASP5HB双CMOS工艺制造，可提供表面安装塑料封装的16-TSSOP包装。通过三线接口（CK，DATA，EN）将串行数据传输到S1T8825B。

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KM62256C系列是三星公司采用0.7微米CMOS工艺生产的低功耗CMOS静态随机存储器（SRAM）。该系列产品支持多种工作温度范围，并具有多种封装类型，可为用户的系统设计提供灵活性。该系列产品还支持低数据保留电压，可以在低数据保留电流下进行电池备份操作。

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该文件是关于SAMSUNG闪存产品的规格说明，包括K9F1G08D0M，K9F1G16Q0M，K9F1G08U0M，K9F1G16U0M，K9F1G08Q0M和K9F1G16D0M等型号的特点和特性。

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256Mb E-die DDR SDRAM 规格

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该文件是关于M392B2873GB0和M392B5670GB0内存条的规格说明书

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