三星说明书大全
SAMSUNG KA22900/D DATA SHEET
这份PDF文件介绍了Rohde & Schwarz PQA100和PQA200系列的产品，这些产品是高性能的频谱分析仪，可用于各种应用，包括射频测试、信号分析、电力质量分析和电信测试。该文件详细介绍了这些产品的特点和特性，包括频率范围、采样率、分辨率和动态范围。
文件类型: PDF 大小:243 KB
Samsung MultiMediaCard Specification
本文件是有关MultiMediaCard的规格说明文件，主要介绍了MultiMediaCard的功能、特点、特性，以及订购信息等。
文件类型: PDF 大小:1425 KB
Samsung KM6164000B Family Data Sheet
该数据表提供了KM6164000BL-L 256Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM产品的详细信息，包括产品的封装类型、引脚排列、管脚功能、接口、电源、供电电压、工作温度范围、存储温度范围、数据保持时间、数据保持电压、静态电流、动态电流、功耗、相应时序等。
文件类型: PDF 大小:109 KB
Samsung K7N803601B K7N801801B Data Sheet
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM是韩国三星电子生产的一款内存芯片，适用于3.3V电压，最高频率可达167MHz。
文件类型: PDF 大小:379 KB
Samsung K4S643232F Data Sheet
K4S643232F是一款64M x 32位SDRAM，由三星生产，支持4个512K x 32位存储器组，工作电压为3.3V。
文件类型: PDF 大小:74 KB
Samsung K4S643232E Data Sheet
该文件介绍了一款名为K4S643232E的CMOS SDRAM产品，具有高数据传输率、同步设计、可编程的传输长度和延迟等特点，适用于高带宽、高性能的内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:79 KB
Samsung 256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM Data Sheet
该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。
文件类型: PDF 大小:450 KB
Samsung M366S2953MTS SDRAM DIMM Data Sheet
Samsung M366S2953MTS是一种64M位x 64同步动态RAM高密度内存模块。它具有同步设计，可实现精确的周期控制。可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:89 KB
Samsung S1M8831A/33 Data Sheet
S1M8831A/33是一款支持RF和IF频率合成的器件，支持1.2GHz的RF频率和520MHz的IF频率。它采用了∑-∆分数-N技术，可以解决其他分数-N合成器中充电泵补偿带来的分数杂散问题。该器件支持10kHz步长的PCS/CDMA频道频率编程。
文件类型: PDF 大小:256 KB
三星 OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6) FLASH MEMORY 数据手册
OneNAND256(KFG5616x1A-xxB6)闪存是三星电子公司的产品，包含密度、型号、电源、温度、封装等信息
文件类型: PDF 大小:1397 KB
Samsung 128MB, 256MB SODIMM Data Sheet
M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0 是三星推出的一款 128MB 的 DDR SDRAM SODIMM 内存条，它使用 256Mb F-die 芯片，支持 64 位和 72 位数据宽度，频率为 133MHz 和 166MHz，时序为 2.5-3-3 和 2.5-3-3。
文件类型: PDF 大小:265 KB
Samsung M366S1723DTS Data Sheet
Samsung M366S1723DTS PC133/PC100 Unbuffered DIMM 是一款16M 位 x 64 同步动态随机存储器高密度内存模块。
文件类型: PDF 大小:97 KB
SAMSUNG Electronics KS88C4616/C4632/P4632 数据手册
该文件介绍了韩国三星电子有限公司推出的KS88C4616/C4632系列单片8位CMOS微控制器的特点和特性。该系列微控制器具有快速高效的CPU、多种集成外设和可编程ROM等特点。
文件类型: PDF 大小:250 KB
SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册
KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。
文件类型: PDF 大小:601 KB
SAMSUNG K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F February 2004 Mobile-SDRAM 数据手册
K4S641633H是三星生产的一种移动内存芯片，它采用同步设计，可提供精确的时钟控制，并且支持范围广泛的操作频率、可编程突发长度和可编程延迟。它可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
文件类型: PDF 大小:111 KB
SAMSUNG Electronics DDR SDRAM Specification Version 1.0 数据手册(1)
该文档是一份DDR SDRAM DDR SDRAM规范的版本历史记录，介绍了该产品的不同版本和修订内容。
文件类型: PDF 大小:458 KB
SAMSUNG KM68B261A BiCMOS SRAM 数据手册
KM68B261A是一种262,144位高速静态随机存取存储器，采用32,768字8位的组织方式。该产品具有快速访问时间、低功耗待机、单一5V电源供应等特点，适用于高密度高速系统应用。
文件类型: PDF 大小:76 KB
Samsung K6E0808C1E-C/E-L, K6E0808C1E-I/E-P Data Sheet
这是一款32Kx8位高性能CMOS静态RAM，工作电压为5V，适用于商用和工业温度范围。
文件类型: PDF 大小:182 KB
Samsung SDRAM 16Mb H-die(x16) Data Sheet
K4S161622H是16,777,216位同步高数据速率动态随机存储器，组织为2 x 524,288字节，由16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确地控制周期，I/O事务可以在每个时钟周期内进行。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟
文件类型: PDF 大小:109 KB