INFINEON说明书大全

本文件为NXP NTC热敏电阻的datasheet，介绍了产品的功能、特性、规格、参数等信息。

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该文件介绍了IPW50R140CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的R DS,on值、最低的R ON x Qg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、较高的峰值电流能力等。

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BFP540是一款NPN硅射频晶体管，具有出色的噪声系数F=0.9dB和高可靠性金属化，适用于1.8GHz最高增益低噪声放大器。

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该文件介绍了IPW60R299CP CoolMOSTM功率晶体管的特点，包括最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt评级和高峰值电流能力。该产品符合JEDEC标准，并适用于硬开关SMPS拓扑结构。

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SPW52N50C3是一款高压MOS功率管，具有世界上最好的RDS(on)、超低门极电荷、周期性雪崩评级、极端dv/dt评级、超低有效电容和改进的导通率

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该文件是关于BSP297 Rev. 1.21 SIPMOS小信号晶体管的产品摘要。该晶体管为N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有最大200V的漏源电压和1.8Ω的漏源电阻。其特点包括增强型逻辑电平，dv/dt评级和PG-SOT-223封装。

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该文档介绍了2005年7月21日发布的Rev. 2.2版的SN7002N SIPMOS小信号晶体管的产品摘要信息。该晶体管是一种N沟道增强型逻辑电平的小信号晶体管，具有60V的漏源电压，5Ω的漏源电阻和0.2A的漏极电流。

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BUZ 30A是N通道增强型雪崩额定功率晶体管

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该数据表格列出了FF300R12KE3 IGBT-模块的技术规格

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BUZ 345是N沟道增强型雪崩额定功率晶体管。它具有100 V的漏源击穿电压，41 A的连续漏源电流和0.045 Ω的漏源开启电阻。它适用于各种应用，如电机驱动、电力转换和照明控制。

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本文档介绍了2003年5月9日发布的SPI80N08S2-07、SPP80N08S2-07和SPB80N08S2-07型号OptiMOS功率晶体管的特点和特性，包括N通道增强型、175°C工作温度、雪崩额定、dv/dt额定等。

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PROFET® BTS426L1 是德州仪器公司推出的一款高侧功率开关，它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）等特点。它可以应用于 12 V 和 24 V DC 接地负载，替代电气机械继电器、保险丝和离散电路。

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SPW07N60CFD CoolMOSTM Power Transistor是一种具有许多特点和特性的功率晶体管，包括快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极端的dv /dt能力、高峰值电流能力等。它适用于软开关PWM阶段和LCD＆CRT电视等应用。

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BSS159N是N沟道耗尽型小信号晶体管，具有dv/dt额定值，可在卷轴上提供VGS(th)指示器，铅封，符合RoHS标准。

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该文件介绍了BSP324 SIPMOS功率晶体管的特点和特性，包括N通道、增强模式、逻辑电平、dv/dt额定值等。

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ITS 4141N是智能高侧功率开关，用于工业应用。它具有短路保护、电流限制、过载保护、过压保护（包括负载瞬变）、欠压关断和反电池保护等特性。

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SDT05S60 是世界上第一款 600V 肖特基二极管，采用革命性的半导体材料 - 硅碳化物，具有无反向恢复、无温度影响的开关特性和无正向恢复。

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BFR 181W是NPN硅射频晶体管，用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从0.5 mA到12 mA，fT=8 GHz，F=1.45 dB，900 MHz

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