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BC807W, BC808W是英飞凌的PNP硅AF晶体管，用于一般AF应用，具有高集电极电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压。

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BC807U 是一款 PNP 硅晶体管阵列，用于 AF 输入级和驱动应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压以及良好匹配的两个（隔离）内部晶体管

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BC807, BC808 是PNP Silicon AF Transistors，具有高集电极电流、高电流增益和低集电极-发射极饱和电压的特点。

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该文档介绍了BCV62 PNP硅双晶体管的特点和特性。它可用作电流镜，具有良好的热耦合和VBE匹配、高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

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BCV61 是 NPN 硅双晶体管，用于作为电流镜，具有良好的热耦合和 VBE 匹配，高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

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BCV29, BCV49是NPN硅达林顿晶体管，具有高集电极电流和高电流增益。

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BCV28和BCV48是PNP硅达林顿晶体管，用于一般的AF应用。具有高集电极电流和高电流增益。还提供了互补型号BCV29和BCV49（NPN）。

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BCW67和BCW68是PNP硅AF晶体管，适用于一般AF应用，具有高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。它们的补充型号是BCW65和BCW66（NPN）。

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BCW 67 BCW 68是双极结型晶体管，具有高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。它们适用于一般音频应用。

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该文件介绍了BCW65和BCW66的特点和特性，包括其在一般AF应用中的应用、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。同时还提供了BCW67和BCW68作为互补型号的信息。

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BCW61A是BCW61系列的一种硅PNP晶体管，该系列晶体管具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压和低噪声等特点，可用于音频输入级和驱动应用中。

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该数据表是BAT165数据表。BAT165 是一种中等电流肖特基整流二极管，用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。它具有微型塑料封装，适用于表面贴装 (SMD)。

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该文档介绍了BAT 68W硅肖特基二极管的特点和特性，主要用于VHF / UHF范围的混频器应用和高速开关应用。

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BAT 68-08S是一种硅肖特基二极管阵列，适用于VHF / UHF范围内的混频器应用和高速开关应用。它具有8V的击穿电压，最大130mA的正向电流，最大150℃的结温，以及10Ω的正向电阻。

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本文介绍了BAT 68系列硅肖特基二极管的特点和特性，主要应用于VHF / UHF范围的混频器和高速开关应用。

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BAT 66-05 是 BAT 公司的一款肖特基二极管，它的最大反向电压为 40 V，最大正向电流为 2 A，最大功率耗散为 1.2 W。BAT 66-05 的封装类型为 SOT-223，可以应用于低损耗、快速恢复整流、电表保护、偏置隔离和钳位等场合。

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BAT 64-07是BAT公司的一款肖特基二极管，它具有低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用等特点，其反向电压为40V，平均正向电流为120mA，浪涌正向电流为800mA，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-55~150°C。

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BAT 64系列是一系列硅肖特基二极管，用于低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用。这些二极管具有集成的扩散保护环和低正向电压。

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BAT 63-07W 是一款硅肖特基二极管，其最大反向电压为 3 V，最大正向电流为 100 mA。该二极管适用于高频检测应用和高速度开关应用。

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本文档介绍了具有低阻抗的二极管，适用于高达GHz频率的探测器。该产品具有40V的反向电压和2mA的正向电流。此外，文档还提供了器件的引脚配置和封装信息。

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